12
Peregrine（派更半导体）规模并不大，在被村田收购前，营收规模约为 2 亿美元，是一家小而有特色的射频技术公司，派更半导体的特色就在于其 UltraCMOS 技术。
派更半导体创始人 Ron Reedy 与 Mark Burgener 等是 RF SOI（射频绝缘体上硅）技术的发明者，UltraCMOS 技术源于 Ron Reedy、Mark Burgener 与 Graham Garcia 在 1988 年发表的一篇论文，在该论文中，他们提出了一种利用蓝宝石 SOI 衬底制造射频 CMOS 器件的技术， 以满足当时射频技术发展对器件性能与集成度的要求，这就是后来的 UltraCMOS 技术，用派更半导体的话描述即 UltraCMOS 是“更高级的 SOI 技术”。
传统射频或混合信号器件多采用 GaAs（砷化镓）或硅锗（SiGe）及 BiCMOS 等工艺，采用 CMOS 工艺的 UltraCMOS（即 RF SOI）器件在可靠性、成本、良率与集成度上都有优势，性能也不输 GaAs 或者 SiGe，派更的 UltraCMOS 技术经过 20 多年的发展，在性能上也越来越好。
特别是如今多模多频射频器件的流行，让 GaAs 工艺受到不少挑战，要提高线性度，GaAs 技术就必须增加插入损耗和芯片面积（与成本直接相关），UltraCMOS 具备将一组场效应管集成在单颗 SOI 裸片的能力，所以在线性度、谐波等指标上，现在的 GaAs 产品性能难以达到派更 UltraCMOS 水准。
在 2017 年电子设计创新大会（EDI CON）上，派更发布了几款基于 UltraCMOS 技术的新产品，包括 100 瓦功率限幅器、60GHz 开关以及兼具高性能与高掷数的开关等。
PE45361 是派更半导体首款利用 ULtraCMOS 技术开发的 100 瓦功率限幅器，突破了 RF SOI 技术对功率处理的局限，相比过去 50 瓦的功率限幅器，PE45361 具备更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。
据派更高性能模拟射频市场产品经理 James Lee 介绍，与 GaAs 工艺 PIN 二极管分立式功率限幅器方案相比，UltraCMOS 功率限幅器可保护设备不会受到过高 RF 功率、故意干扰及 ESD 事件的损害。
PE42525 和 PE426525 已经量产，这是业内首个达到 60GHz 工作频率的 RF SOI 开关产品系列，该系列产品将派更的高频产品组合扩展至以往由 GaAs 技术主导的频段。据 James Lee 介绍，与 GaAs 开关比较，UltraCMOS 60GHz 开关在包括带宽、插入损耗、隔离度、线性度、开关时间、ESD 和工作温度范围等所有关键指标上，都有优势。PE42525 使用于 5G 系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关等领域，PE426525 扩展了适用温度区间（达到 -55℃至 125℃），成为工业市场中严苛环境应用的首选。
PE42562、PE42582 和 PE42512 等高掷数、高性能开关主要应用于测试测量仪器或者通信领域，宽频范围可达 9kHz-8GHz，并配有一个用于清除杂散的外部 Vss 引脚。这一系列产品具有低插入损耗、高隔离度、高线性度，以及及快速开关时间与稳定时间等特征，是滤波器组切换及信号发射 / 接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的合适选择。
在发布会上，James Lee 还表示，被收购以后，借助村田的资源，派更半导体这两年发展速度惊人，营收增长了 90%，员工数量增加了约 40%，专利申请数增加了 70%。毫无疑问，并入村田给派更半导体带来了更多的发展机遇，除了快速增长，派更在技术路线上从 UltraCMOS 拓展到智能集成，这将结合村田与派更的优势，是非常有前景的一个方向。
