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现在，主流的高级封装标准包括：
1、三星主推的 Wide-IO 标准
Wide-IO 技术目前已经到了第二代，可以实现最多 512bit 的内存接口位宽，内存接口操作频率最高可达 1GHz，总的内存带宽可达 68GBps，是最先进的 DDR4 接口带宽（34GBps）的两倍。Wide-IO 在内存接口操作频率并不高，其主要目标市场是要求低功耗的移动设备。
HBM（High-Bandwidth Memory，高带宽内存）标准主要针对显卡市场，它的接口操作频率和带宽要高于 Wide-IO 技术，当然功耗也会更高。HBM 使用 3DIC 技术把多块内存芯片堆叠在一起，并使用 2.5D 技术把堆叠内存芯片和 GPU 在载板上实现互联。目前 AMD 在 2015 年推出的 FIJI 旗舰显卡首先使用 HBM 标准，显存带宽可达 512 GBps，而显卡霸主 Nvidia 也紧追其后，在 2016 年 Pascal 显卡中预期使用 HBM 标准实现 1 TBps 的显存带宽。
3、美光主推 HMC 技术
HMC（Hybrid Memory Cube）标准由美光主推，目标市场是高端服务器市场，尤其是针对多处理器架构。HMC 使用堆叠的 DRAM 芯片实现更大的内存带宽。另外 HMC 通过 3DIC 异质集成技术把内存控制器（memory controller）集成到 DRAM 堆叠封装里。以往内存控制器都做在处理器里，所以在高端服务器里，当需要使用大量内存模块时，内存控制器的设计非常复杂。现在把内存控制器集成到内存模块内，则内存控制器的设计就大大地简化了。最后，HMC 使用高速串行接口（SerDes）来实现高速接口，适合处理器和内存距离较远的情况（例如处理器和内存在两张不同的 PCB 板上）。相较而言，Wide-IO 和 HBM 都要求处理器和内存在同一个封装内。
Wide-IO 标准、HBM 标准、HMC 技术都和内存相关，下表是有关 Wide-IO， HMC， HBM 及 DDR 标准比较。
Wide-IO， HMC， HBM 及 DDR 标准比较
4、TSMC 主推的 CoWoS 和 InFO 技术
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和 InFO（Integrated Fan Out）是台积电推出的 2.5D 封装技术，称为晶圆级封装。台积电的 2.5D 封装技术把芯片封装到硅载片上，并使用硅载片上的高密度走线进行互联。CoWoS 针对高端市场，连线数量和封装尺寸都比较大。InFO 针对性价比市场，封装尺寸较小，连线数量也比较少。目前 InFO 技术已经得到业界认可，苹果在 iPhone7 中使用的 A10 处理器即将采用 InFO 技术。
InFO 和 CoWoS 技术
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