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三星半导体业启步
韩国半导体在 1974 年才开始启步，那时韩国正在推行一种叫”新社会运动”。韩国半导体工业的第一个 fab（晶圆厂），叫韩国半导体 Puchon 厂，建于 1974 年 10 月。由于开张就面临财务危机，同年 12 月，仅生存三个月，就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投资兼并，后被并入三星中。
自 1980 年代之后，韩国半导体业才开始跨越式的进步，三星在 1983 年开始筹备集成电路制造，也即 DRAM 的研发。
64KDRAM 的研发成功，对于韩国半导体业具有里程碑意义，也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者，日以继夜，努力追赶，放弃一切节假日休息，靠的是一股精神及志气。
64K DRAM 研发成功
在 64KDRAM 研发中，韩国非常清楚自已与先进国家之间的技术（1.5 微米）差距为 4 年半，需要一步一步地追赶，在 256KDRAM（1.2 微米）时这个差距己缩短为 3 年。在 1989 年 10 月时三星已经成功开发出 16MDRAM（采用 0,25 微米技术），它己领先于全球任何一家制造商。
三星电子从 1983 年开发存储器，到 1989 年的 16M DRAM 研发成功，仅利用 6 年的时间，前进了 5 代 DRAM 的技术，使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。
三星电子从 1983 年开始 DRAM 的研发，其中 1987 年就实现第一次盈利，一直到 1993 年 16M DRAM 的量产，奠定了它在全球存储器霸主的地位。
它最为关键的决策是三星在 1993 年时就大胆地投资兴建 8 英寸硅片生产线来生产 DRAM。在当时全球 6 英寸硅片是主流地位，如英特尔与台积电分别于 1992 年及 1996 年才兴建它们的第一条 8 英寸生产线。因为当时投资一条 8 英寸生产线的费用高达 10000 亿韩元(相当于 10 亿美元以上)，风险很大。
1994 年是韩国半导体工业的转折点，三星首先发布全球首块 256M DRAM。256M DRAM 意味着在手指甲大小的芯片上集成 2.56 亿个晶体管及 2.56 亿个电容。
256M DRAM 研发成功
为了超过日本半导体，三星电子在开发 64M DRAM 的同时就己经组建 256M DRAM 研发团队。70 位研究人员在 Hwan Chang-Kyu 领导下努力奋战，经过两年的努力，终于在 1994 年 8 月 29 日研制成功全球第一块 256M DRAM 芯片。
非常有兴趣的是第一批样品就实现了全功能，所以检验及测量的次数反复达 10 次之多，生怕有误差。由此奠定了在存储器方面韩国超过日本的基础。
三星电子成功的原因初探
1980 年代后韩国政府改变半导体产业政策，转向扶持 DRAM，此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织”官民一体”的 DRAM 共同开发项目，也是通过政府的投资来发展 DRAM 产业。
进入 DRAM 市场初期，三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买 64K DRAM 技术，之后自已开始开发 256KDRAM。为了提高技术，这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人，工资比总裁高 4-5 倍。
另外，三星在美国建立研发中心，并配置相同的生产设备，让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部，日以继夜地工作，很快三星在 DRAM 方面超过日本。
再有一点非常关键，在 1993 年全球半导体市场转弱，但是三星采用反周期的投资策略，加大投资 DRAM 建 8 英寸生产线。
1984 年 9 月三星推出 64K DRAM，但是由于 DRAM 价格迅速下滑，从 1984 年初的 4 美元 / 片，下降到 1985 年的 30 美分 / 片。而此时三星的生产成本是 1.3 美元 / 片，到 1986 年底，三星半导体累积亏损 3 亿美元，股权资本完全亏空。
由于 DRAM 市场不景气，英特尔等美国公司退出存储器市场，日本公司也缩减投资规模和生产能力。三星反其道而行之，进行反周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的 DRAM。当 1987 年产业出现转机时，加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案，美国政府和日本企业达成自动出口限制协议。由于日本企业减少向美国出口，导致 DRAM 价格回升，三星开始首次实现盈利。
三星资本支出多年列全球第一
三星是从 1983 年开始投资半导体，搞存储器。那时韩国的半导体远没有目前的先进，有人认为韩国有劳动力成本低的优势。实际上当时在工厂中作操作的人员, 大部分是农村来的妇女，文化程度并不高，但是素质很好，她们的工作十分认真与精细。
三星经过若干年后能成为全球存储器业的领先者，主要是在韩国政府倾国力的支持下加上强有力的领导集体，如三星的前董事长李健熙等，能献身于事业。除此之外，企业上下有股气势，一定要赶超日本的决心和信念，再加上有一批由美国培训回来的第一流工程师，由于它们奋发图强的加速发展半导体工艺，才取得如此辉煌的成绩。
还有一个原因，如东芝与其它的日本公司，它们的研发中心与制造基地分别位于不同的地方，相距甚远。而三星电子的研发中心与制造部分在同一地方，既节省时间与成本，又便于研发与制造之间相互的沟通。
三星电子还具有另外一个优势是有自己的终端电子产品。不仅有半导体，还有面板、电视等。这样垂直式的产业链有利于整合。既有利于以最快速度反映市场的需求，也有利于终端产品与芯片各环节之间的协调。
后话
三星电子在存储器方面的成功，有外在因素，如韩国政府的大力支持，以及美国对于日本半导体的反倾销策略等，显然三星电子内在因素起着决定性的作用。
尤其是三星电子有一股气势，一定要成功超过日本，上下齐心合力，人的因素起了关键作用。众所周知，DRAM 的制造决定于成品率与产品成本，所以工艺生产线上每一步操作的成品率起着十分重要作用。再加上它的正确策略，在美国搞研发中心，采用与韩国制造同样的设备，以及用高薪聘请在美作存储器的韩国工程师，并在美国培训人材后，再回到韩国工作。另外在全球存储器周期性下降时，它采用反周期的加大投资，积极扩充产能等。
内在与外在的因素综合在一起，推动了三星电子的存储器业成功。同样分析天时，地利与人和在中国似乎都具备了条件，好象仅是某些地方差了一点点。因此未来中国在突破艰难的存储器业制造中必须十分清醒，仅拥有大市场与足够的投资还不一定能获得成功，需要人材的配合，并要有一股气势与勇气，以及技术上的真正过硬。全球存储器业总是周期性的起伏，只有坚持到底，不惧怕暂时的亏损，才有可能成功。现在的盲点是不知道我们的持续亏损要多久？能否有决心坚持下去，因为通常只有国家意志才有坚持下去的可能性。
