晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries)技术长帕顿(Gary Patton)日前说明在 2014 年买下 IBM 半导体事业后有关 14 纳米及 7 纳米技术发展近况。同时,为与同业建立市场区隔,格罗方德也投入 FD-SOI(全耗尽型绝缘层上覆硅)市场,并推出 22/12FDX 制程平台抢进物联网芯片代工市场。
近期市场传出格罗方德可能暂缓大陆重庆合资晶圆厂的计划,帕顿予以否认,并表示在大陆拥有自己的生产据点是很重要的策略,预期未来几年格罗方德在大陆的营收将有倍数成长,而未来重庆厂主要角色是支援新加坡厂的产能及技术,会先由 0.13/0.18 微米制程开始。
格罗方德向三星取得 14 纳米技术授权后,目前已进入量产。
帕顿表示,在 14 纳米部分,格罗方德去年第 4 季良率提升到成熟稳定阶段后,今年第 2 季顺利推出基于 14 纳米的制程设计套件(PDK),格罗方德至今已出货数百万颗 14 纳米芯片,同时有超过 30 个客户共同合作。
7 纳米技术部分,格罗方德预计 2018 年第 1 季进行风险生产,已有客户进行设计及认证,主要针对高效能运算市场所设计,特别是在服务器及资料中心采用的芯片。
由于 7 纳米制程的功耗上明显优于上一代的 14 纳米,也十分适合应用在 5G 基础建设等网络通讯处理器市场。
至于在价格竞争较激烈的移动设备应用处理器部分,格罗方德也会提供 7 纳米晶圆代工服务,除了每片晶圆可切割的芯片数可较上代的 14 纳米多出 1 倍,每颗芯片成本可降低 30%,最明显的仍是在功耗上的降低可大于 60%。
帕顿说明,7 纳米的设计上是可以支援极紫外光(EUV)微影技术,虽然目前主要仍是采用浸润式微影,但只要 EUV 技术可以进入量产,格罗方德的 7 纳米也可以直接转进采用 EUV 微影技术。而来自 IBM 的团队也提供了格罗方德很大的研发能力。
格罗方德也推出针对物联网低功耗芯片量身打造的 22 纳米制程及 22FDX 平台,该制程主要是基于 FD-SOI 制程开发出来的,除了可提供非常低功耗、达到类似鳍式场效电晶体(FinFET)的效能外,在成本上则与传统 28 纳米制程相近。
格罗方德 22FDX 平台已在今年第 2 季推出制程设计套件,约有 50 个客户共同加入合作,预期在今年第 4 季进行风险生产,明年第 1 季可以进入量产。
格罗方德也宣布将在 2019 年推进至 12 纳米的 12FDX 制程平台,等于提供完整的制程微缩及建立起 FD-SOI 技术蓝图。