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小编语：工艺发展进入20nm以后，玩家越来越少，因为研究新一代工艺的开销越来越大，难度也越来越高，日前英特尔刚刚爆出10nm工艺延期，现在对手又爆出好消息，三星和IBM共同研发的7nm工艺获得重大进展，多年来英特尔在工艺上领先的优势真的会在10nm左右终结吗？
三星电子(Samsung Electronics Co.)与IBM Corp.携手合作，朝7 奈米先进制程跨进了一大步！华尔街日报、ZDNet等多家外电报导，IBM研究实验室(IBM Research)9日宣布，IBM与伙伴格罗方德半导体 ( GlobalFoundries Inc.)、三星和纽约州立大学奈米理工学院终于突破重大瓶颈、共同打造出全球首颗7奈米晶片原型，进度超越英特尔(Intel Corp.)等竞争对手。
IBM半导体科技研究部副总裁Mukesh Khare表示，这款测试晶片首度在7奈米电晶体内加入一种叫做「矽锗」(silicon germanium，简称SiGe)的材料，并采用了极紫外光(EUV)微影技术。荷兰半导体设备大厂艾司摩尔(ASML Holding NV)本身研发的EUV设备一台要价1.5亿美元，相较之下他种微影系统一台售价只有5,000万美元。
Ars Technica 9日指出，7奈米制程晶片至少还要等两年才能具有商业用途，但IBM与其伙伴的突破仍具有重大意义。首先，这款晶片采用的制程技术低于10奈米、还是第一款使用矽锗的10奈米以下FinFET逻辑晶片，另外也是全球第一个导入EUV技术、能有商业用途的晶片设计。
英特尔对14奈米制程技术的校正进度已延迟约六个月，目前则在开发10奈米技术、有望于2016年问世。英特尔资深主管Mark Bohr最近曾表示，该公司的7奈米制程应该不需要改用EUV设备，但他并未透露更多细节。
ASML才刚于4月22日发布新闻稿宣布，美国某大客户已经下单，至少会订购15台EUV微影设备，以便支援日益增多的研发作业和未来世代制程技术的试产方案。ASML执行长Peter Wennink当时说，EUV微影设备已接近大量普及的阶段。
彭博社报导，英特尔是ASML在美国的最大客户。ING Bank NV分析师Robin van den Broek当时在接受专访时指出，这明显是英特尔想要在7奈米制程技术中导入EUV设备，而假如以正常的报价计算，这笔订单的金额将高达15亿欧元；也就是说，英特尔已将一笔为数不小的资金投入了7奈米制程科技。den Broek还说，ASML另外两家大客户分别是三星与台积电 (2330)，他认为这两家业者也会跟进导入EUV。
台积电共同执行长刘德音曾在4月16日表示，台积电已开始研发7奈米制程技术，预计2017年就进入最后试产阶段的风险生产 (Risk Production)。
