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需要先交代下这里提到的AMSL公司的背景。ASML (全称： Advanced Semiconductor Material Lithography,公司的注册标识为ASML Holding N.V)，中文名称为阿斯麦（中国大陆）、艾司摩尔（中国台湾）。是总部设在荷兰Veldhoven的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。这么一说大家应该明白，为什么从ASML那里得到的消息可靠，因为他们要向台积电、Global Foundries这类晶圆厂提供可用于更先进工艺制程的生产设备，可以第一时间知道各工艺厂商在新的工艺节点的开发进展。
“14nm/16nm工艺的量产将在明年实现”ASML CEO Peter Wennink如是说。此前业界一直认为这一量产时间点将是2016年。
“从我们目前看到的需求，用户都计划在2015年实现14nm/16nm工艺产品的量产”Wennink表示。
可以用“万事俱备”来形容10nm工艺的生态，但7nm的成熟还需要一个过程。
“一些10nm工艺上至关重要的客户正在敦促我们开发和采用EUV技术”Wennink补充，可以推断，没有EUV，10nm工艺的实施将非常困难。
针对EUV，ASML的客户目前每次EUV光刻每天可实现500片晶圆的产量，ASML相信到2016年，EUV设备可实现1500wpm的产能，到那时，最先进的EUV设备的成本可达到9000万美元。
Wennink透露，ASML正在和一个客户合作，计划在2016年下半年进入10nm逻辑节点，这是14nm和7nm的一个中间节点。
目前ASML已经具备了80W的光源能力，理论上可以实现1000wpm的产能，但Wennink指出，出于设备维护需求的考虑，这一理论吞吐量降到500wpm。
关于EUV光刻技术
此前，EUV技术曾经在65nm节点被寄予厚望，但由于光源不足、光刻胶和掩膜版等相关技术不到位等原因，其进入量产的时间不断被推迟。同时，常规光刻技术仍在进步，目前尚未真的需要EUV光刻。不过，随着芯片产商们开始关注20nm以及更先进的技术节点，人们对关键层可采用哪些技术存在疑惑，包括对双重图形的成本、高折射率浸入式光刻缺乏支撑以及EUV量产的准备程度等问题仍存疑虑。有观点认为20nm可能是EUV大展拳脚的时间点，也有较为悲观的人认为至少要到2016年EUV才会为量产所用。至少到2013年，ArF双重图形技术和EUV都是热门的候选方案。
相较而言，EUV更具有延展性，极有希望支持小于10nm的技术节点。
现在看来，EUV的春天来了。
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