SK海力士DRAM市场份额首夺冠

市场研究机构Counterpoint最新报告显示，2025年第一季度SK海力士以36%的市场份额首次超越三星电子（34%），成为全球DRAM市场新霸主。美光以25%的份额位居第三。这一历史性突破主要得益于SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的绝对优势，其HBM市场份额高达70%。

图 | 2025年第一季度SK海力士以36%的市场份额首次超越三星电子，成为全球DRAM市场新霸主；来源：Counterpoint

SK海力士的成功源于其对HBM技术的长期投入。自2013年率先研发HBM芯片以来，该公司持续加码这一当时被视为"小众"的技术。如今，其最新12层HBM3E芯片独家供货英伟达，推动美国子公司销售额同比激增2.6倍至230亿美元。HBM产品已占其DRAM总销售额的40%以上。

在制程工艺方面，SK海力士1c DRAM良率已提升至80%，领先于仍在优化良率的三星。分析师指出，三星约80%-90%收入依赖传统DRAM，而中国厂商的替代品正挤压这一市场。SK海力士计划2025年HBM销量翻番，并预计2026年推出更先进的16层HBM4芯片。

Counterpoint预计，强劲的AI需求将使SK海力士在第二季度保持领先。尽管美国关税政策带来不确定性，但HBM主要用于全球流通的AI服务器，短期受影响有限。不过长期来看，贸易紧张局势可能抑制市场扩张。

随着DRAM技术向10纳米以下节点迈进，三星、SK海力士和美光在EUV光刻和HKMG技术上的竞争愈发激烈。与此同时，中国厂商的崛起正在重塑行业格局，存储芯片市场的技术竞赛已进入新阶段。