芯耀
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● 东部高科（DB Hitech）：已在今年2月实现8英寸SiC晶圆的生产，将在2025欧洲PCIM上展出。
● Vishay：计划投资2.5亿英镑（约23.5亿人民币），加速将Newport晶圆厂改造为8英寸车规级碳化硅和氮化镓生产基地。
东部高科：实现8英寸SiC的生产
据韩媒4月7日报道，韩国东部高科（DB Hitech）近日透露，已在今年2月通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证；并同时开发了8英寸GaN 650V HEMT工艺，计划年内完成可靠性验证。
据悉，东部高科将携以上最新SiC/GaN突破、BCDMOS（复合电压器件）以及专用图像传感器工艺等参加下个月的在德国举办的2025欧洲PCIM展会。
资料显示，东部高科是一家专门从事8英寸代工的公司，此前他们一直致力于开发6英寸SiC工艺，而未来他们将在6英寸工艺基础上开发量产8英寸SiC工艺。
目前，东部高科拥有两座8英寸晶圆代工厂，一座Fab1位于韩国京畿道富川市，另一座工厂Fab2位于韩国忠清北道Eumseong的Sangwoo园区。
据“行家说三代半”此前报道，2024年10月，东部高科宣布将在Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室，计划先行建设8英寸SiC产线。
东部高科某高层表示，这项投资预计到2027年10月末将投入总计2500亿韩元（约12.45亿人民币）、到2030年投入1.7万亿韩元（约88.74亿人民币）。截至当时，东部高科已进入建立8英寸试点工艺的最后阶段。预计从2026年开始，东部高科将投入生产设备，建立正式的量产体系，项目投产后，其8英寸SiC晶圆产能将达3.5万片/月。
Vishay：投资近24亿扩建Newport晶圆厂
3月27日，据外媒报道，英国政府近日宣布，Vishay计划投资2.5亿英镑（约23.5亿人民币），用于加速其位于英国南威尔士纽波特的8英寸SiC晶圆厂改造，扩大碳化硅功率半导体器件的生产。
报道称，该投资将支持先进碳化硅半导体的生产，预计将在该地区创造超500个高技能工作岗位。
据“行家说三代半”此前报道，Vishay于2023年11月以1.77亿美元（约合人民币12.88亿元）现金收购了安世半导体的8英寸硅基晶圆厂（Newport晶圆厂），用于改造为8英寸车规级碳化硅和氮化镓生产基地，推进SiC MOSFET的商业化进程。
2024年11月，Vishay确认初步投资5100万英镑用于Newport工厂的一阶段建设，这笔资金包含了来自威尔士政府提供的500万英镑。Vishay表示，未来他们将长期计划将向该厂注资10亿英镑（超91亿人民币），以加快车规SiC/GaN规模化制造计划。
