比亚迪、长安自研SiC新进展：1200V沟槽、流片下线

近日，比亚迪及长安汽车在车规SiC MOSFET主驱芯片的研制上均宣布了新进展——

比亚迪：开始瞄准高耐压领域，宣布将开发1200V 沟槽SiC MOSFET；

长安汽车：SiC功率芯片进入了流片下线新阶段，加速产业化落地。

比亚迪、长安汽车加速布局车规SiC MOSFET

比亚迪：将研发1200V 沟槽SiC MOSFET

据“浙江在线”2月27日消息，宁波比亚迪半导体有限公司将通过“保税研发”模式开展1200V沟槽栅SiC MOSFET晶圆产品的研发设计、技术开发，其研发周期内涉及的多批次进口原材料均可享受保税政策。比亚迪半导体技术开发部该项目相关负责人表示，在“保税研发”模式下，进口研发所需的原材料、设备均可以保税进口，从而在研发环节省下大量的时间成本和资金成本，便于公司快速推进研发进程。研发成品检测合格后便可开始批量生产。

据“行家说三代半”此前报道，比亚迪还在宁波建有一条晶圆制造产线，计划投资7.3亿元，建成后月产2万片碳化硅晶圆，项目建设期5年；而该研发项目达产后，预计年需求晶圆将突破10000片，有望填补国内相关技术空白。沟槽栅结构通过消除JFET效应可显著降低导通电阻，尤其在1200V及以上高耐压场景中能提升系统效率3%-5%，这对800V高压平台车型的续航与快充性能至关重要。比亚迪此举或将强化其高端品牌（如仰望、腾势）的电驱系统竞争力，突破国际厂商技术垄断。

长安汽车：SiC功率芯片流片下线

3月4日，据“重庆青山”官微消息，他们与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

该项目于2023年4月启动，此次流片下线的SiC功率芯片在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上；阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。

“行家说三代半”了解到，青山公司是长安汽车的子公司，长安汽车是国内较为重视碳化硅产业链布局的车企之一，通过子公司青山工业以及与斯达半导体深度合作，推进SiC电驱及芯片国产化。

车企纷纷自研SiC芯片，平面栅&沟槽栅的技术博弈

除比亚迪、长安汽车外，国内外多家车企/tier 1也正在加速碳化硅芯片的自主研发与生产，试图在下一代电驱技术中占据主动权：

吉利：与芯聚能半导体等合资成立芯粤能，专注于车规级SiC芯片制造；2023年6月，芯粤能宣布量产1200V车规级SiC芯片，并交付多家主机厂验证。

丰田：通过旗下电装（Denso）及合资企业加速SiC全产业链布局，电装在日本建设8英寸SiC晶圆产线，预计2025年商业化。

博世：收购TSI改造加州罗斯维尔8英寸硅晶圆厂，计划2026年量产SiC芯片。

华为：通过投资与自研双路径布局SiC技术，智界S7车型已搭载800V高压SiC电机。

实际上，平面栅和沟槽栅的竞争本质是性能、成本与可靠性的平衡。SiC企业及车企的考量主要基于以下维度：

当前，平面栅仍是规模化装车的主流选择。意法半导体、安森美、Wolfspeed等国际厂商占据主导地位，其成熟工艺适配特斯拉、通用等大规模量产需求；芯联集成、士兰微等本土厂商则通过成本优势切入理想、小鹏等供应链。

沟槽栅技术方面，罗姆、英飞凌及博世等巨头凭借专利优势配套小米、现代等车型。例如，英飞凌为小米SU7定制开发沟槽栅SiC模块。但总体来说，沟槽技术应用仍处于产业化初期，全球车规SiC MOSFET中沟槽栅占比仍较低。

但是2024年以来，业界对沟槽 SiC MOSFET 的开发热情明显更为高涨，据行家说《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》不完全统计，2023-2024 年 7 月，合计公布82个沟槽栅专利，其中2024年 1-7 月合计40 个，接近 2023 年全年的专利数量。