超470亿晶圆厂动工，HBM市场激战正酣！

近日，SK海力士宣布，其龙仁半导体产业集群的首座晶圆厂已开始全面动工，预计2027年5月竣工。

SK海力士表示，龙仁半导体产业园区位于韩国京畿道龙仁市元三面，总占地面积为415万平方米（约126万坪），包括SK海力士工厂（约60万坪）、中小企业合作园区（14万坪）、基础设施用地（12万坪）等。预计将与集群内约50家中小型半导体公司一起，在提升韩国半导体生态系统竞争力方面发挥作用。

2024年7月，SK海力士董事会通过决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合人民币476.58亿元）在龙仁半导体集群建设第一座晶圆厂及营业设施。此次批准的投资额包含集群运营初期所需的第一座工厂、辅助设施（水处理设施、变电设施、通信线路、仓库等）、事业支援大楼、福利设施的建设费用。

此外，SK海力士还计划在第一座晶圆厂内建设一座“微型晶圆厂（即配备300毫米晶圆处理设备的研究设施，用于验证半导体材料、零件和设备）”，以帮助韩国国内中小企业开发、验证和评估技术。

首座晶圆厂建成后，该工厂将成为SK海力士高带宽存储器(HBM)等新一代DRAM存储芯片生产基地，并助力SK海力士提高面向AI的存储器产品产量。之后，SK海力士将陆续完成其余三座晶圆厂的建设，从而将龙仁园区发展成为“全球AI半导体生产基地”。

值得一提的是，SK海力士还计划在清州投资约5.3万亿韩元用于建设M15X工厂，以提高包括旗舰产品HBM在内的下一代DRAM的生产力。

随着大型科技公司对AI服务器的投资扩大，人工智能推理技术的重要性也日益增加。由于对AI服务器的投资激增，以及对于模型推理处理需求的增长，由此高性能计算所必需的HBM和高容量服务器DRAM的需求将持续增长。

01、SK海力士增加HBM3e的供应量，并适时开发出HBM4

众所周知，SK海力士是全球知名的存储厂商，在DARM市场排名中位列第二，仅次于三星。据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调研数据，得益于HBM3e出货带动，2024年第四季度，SK海力士在全球DRAM领域的市占率由前一季度的34.4%上升至36.6%，紧追三星。

另外，根据SK海力士今年1月公布的最新财报，随着HBM、eSSD等面向AI的存储器销售增长，2024财年营收和营业利润均创下了季度和年度历史新高，其中营收为66.19万亿韩元，同比增长102%，营业利润和净利润分别为23.47万亿韩元和19.80万亿韩元，均同比扭亏为盈。值得一提的是，2024年第四季度，HBM占SK海力士占DRAM整体销售额的40%以上。

尽管在DRAM市场的市占率不及三星，但就HBM而言，SK海力士则领先于其他厂商。目前，SK海力士已开始供应其最新的12层HBM3e芯片，同时，其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。

根据集邦咨询的研究，SK海力士新产品的潜在应用包括CSP自行研发的ASIC和通用型GPU，有望在HBM4世代量产前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。集邦咨询认为，在HBM4及HBM4e世代皆预计设计16hi产品的情况下，SK海力士率先量产HBM3e 16hi，将能及早累积此堆栈层数的量产经验，以加速后续HBM4 16hi的量产时程。

SK海力士在财报中表示，公司计划今年增加HBM3e的供应量，并适时开发出HBM4。

02、三星即将供应改良版HBM3e，下半年大规模量产HBM4

2025年1月底，三星电子公布了最新财报。数据显示，2024全年，三星实现营收为300.9万亿韩元，同比增长16%；营业利润为32.7万亿韩元，大幅度增长395%；净利润为33.6万亿韩元，同比增长131%。就第四季度而言，其营收为75.8万亿韩元，同比增长12%；营业利润6.5万亿韩元，同比增长超过130%。

三星电子表示，存储业务第四季度收入创历史新高，主要得益于HBM和服务器用高密度DDR5销量增加，拉抬混合DRAM平均销售价格(ASP)上涨。三星指出，将继续通过增加基于先进工艺节点的高附加值产品（如HBM、DDR5、LPDDR5x、GDDR7和服务器SSD）的份额来增强业务竞争力并优化其产品组合。

韩媒报道称，三星近期在财报会议上宣布，预计将于2025年第一季末向主要客户供应改良版的第五代HBM产品HBM3e，三星还计划在2025年下半年大规模生产第六代HBM4。

据三星透露，其2024年第四季的HBM销量较上一季成长了1.9倍。三星指出，继2024年第三季量产HBM3e的8层和12层堆叠产品后，在第四季扩大了对多家GPU供应商和数据客户的HBM3e供应，导致HBM3e销量超过了HBM3销量。

此外，三星还预计HBM3e改良版产品的供应量将从第二季开始大幅增加，这使得三星预计在2025年将HBM位元总供应量较2024年再增加一倍，以展现其致力于满足客户不断变化的需求的承诺。

值得一提的是，近日三星在美国旧金山举办的2025国际半导体会议(ISSCC)上展示了带宽达每秒2.5TB的HBM4e。据悉，HBM4E将引入32Gb DRAM裸片，并在16Hi堆叠时将单堆栈容量扩展至64GB。此外，HBM4e的每引脚速率提升至10Gbps，整体带宽将达到HBM4的1.25倍。

HBM4e是继HBM4之后的下一代标准，三星计划于年内实现量产。据韩媒报道，三星电子采用10纳米级的1c制程技术来量产的HBM4正在按开发计划进行中，目标是在2025年下半年开始量产。

另外，三星还强调，虽然目前预计客户对HBM3e的16层堆叠产品尚无商业化需求，但三星已生产了16层堆叠技术的样品，并交付给主要客验证中。

03、美光HBM表现亮眼，HBM4预计2026年量产

美光虽然在三大HBM厂商中处于追赶阶段，但亦在加紧产能扩充，同时其市占也呈现小幅上升。集邦咨询数据显示，2024年第四季度，美光市占率为22.4%，较前一季微幅增长。

2024年底，美光发布的2025财年第一季业绩报告显示，在AI人工智能驱动下，数据中心市场需求强劲，在当季实现了创纪录的营收表现，且数据中心收入占其整体营收份额首次超过50%。

具体来看，当季美光实现营收87.09亿美元，同比增长84.28%；归母净利润18.7亿美元，同比增长251.54%。其中数据中心业务收入同比增长超过400%。美光指出，数据中心已成为该季度增长的核心引擎，推动总营收创下新高。此外，HBM收入环比增长超过一倍，HBM3e产品已设计到NVIDIA的Blackwell平台中。

美光管理层亦在财报电话会议进一步指出，HBM相关出货和营收表现突出，当季HBM营收较上季度翻倍有余，出货及产能爬坡进展顺利。

总体来看，HBM在未来数年将保持强劲增长势头，美光高层预测，2030年全球HBM潜在市场规模有望超过1000亿美元。该公司CEO Sanjay Mehrotra亦强调，对于HBM未来几年的发展路线图充满信心。

根据科技新报的最新报道，美光科技用于HBM3e的1-beta DRAM在2025年的产能会持续向上提升，下世代的HBM4则预计2026年量产。美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy透露，美光的12层堆叠HBM内存产品（12Hi HBM3e）即将放量。Mark Murphy再次强调，美光的目标是在HBM领域取得同整体DRAM相当的市场占比（即20%）。

此外，美光新加坡HBM先进封装厂也已经正式动工。据悉，该工厂总投资高达70亿美元，预计2026年投产，而这也是新加坡首座封测厂。

据官方介绍，美光新加坡封测厂2027年开始大幅提升先进封装产能，以满足AI晶片产业不断成长的HBM需求。Sanjay Mehrotra表示，未来将加强投资HBM先进封装厂，增加AI商机竞争优势。