总投资近2亿！新增2个SiC项目

近日，“行家说三代半”发现，国内又新增2个碳化硅项目：

智新半导体：SiC模块产线投产运行

近日，武汉净澜检测有限公司在官网公布了《智新半导体二期产线建设项目阶段性竣工环境保护验收监测报告表》，其中透露了智新半导体的SiC模块封装产线建设进展。

文件说明，智新半导体 IGBT 模块项目为东风全系统新能源汽车的战略合作伙伴。因此，为进一步东风汽车的新能源汽车战略，智新半导体经过充分调研和论证，拟在公司一期项目30万只产能的基础上，进行二期产线建设项目。

据悉，该项目属于技改项目，位于武汉市经开区，总投资约为1.63亿，计划在原有智新半导体有限公司租赁车间内新增1条自动化IGBT模块封装线，同时新增银烧结相关工艺设备，具备SiC模块研发及生产能力。本次验收范围只包含智新半导体二期产线建设项目已建设完成运行部分，目前芯片划片工艺暂未建设。

具体来看，该项目于2023年5月8日开工建设，2024年1月4日竣工，2024年4月调试运行，将新增产能IGBT模块38万只/年、IGBT模块（SiC模块）2万只/年，结合原有IGBT模块30万只/年的产能，合计产能达70万只/年。

据“行家说三代半”此前报道，智新半导体由东风汽车与中车集团合作成立，已为东风汽车旗下多款主流车型提供车规级功率半导体模块，累计上车量近百万辆。

2024年4月，智新半导体第二条生产线已经投用，规划产能40万只，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，预计同年7月批量投产，10月大批量投用。

资料显示，智新半导体推出的800V碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，散热性能更好、耐压能力更强，能量转化效率提高3%。与同样性能的国外产品相比，模块成本降低30%。

高裕电子：将建设第三代半导体项目

2月14日，据潮新闻报道，杭州市西湖区当天举行了2025年一季度重大项目集中推进暨重点招商项目集中签约活动，共有53个重点项目签约落地，总投资84.2亿元，其中包含1个第三代半导体项目。

报道透露，高裕电子将建设第三代半导体可靠性测试设备生产基地，预计未来三年营收超7.5亿元。值得关注的是，杭州高裕电子科技股份有限公司成立于2009年，业务涵盖电子元器件可靠性试验设备、定制自动化老化测试产线及第三方可靠性测试等，已于2023年11月挂牌上市。

据高裕电子2024年半年度报告透露，他们开发出了能够满足SiC、GaN等第三代半导体检测需求的半导体老化测试系统，并积极开拓包括新能源汽车在内的相关行业客户，以保障公司业务的成长空间。

值得关注的是，2024 年 4 月，高裕电子旗下产品 SiC MOSFET 功率循环老化测试系统已被浙江省科技厅认定为“浙江省科学技术成果”。