68
因成为全球人工智能（AI）专家、成为哈佛大学最年轻韩国教授而备受瞩目的三星电子SAIT（原三星综合技术研究院）副总裁韩敦熙（Ham Don-hee）已辞职。仅一年之后。咸敦熙自 2019 年起一直以副总裁级研究员的身份在 SAIT 进行研究，该机构负责发现和研究三星未来的新技术。
据半导体业界1月17日报道，三星电子前副总裁韩敦熙近日辞去副总裁职务，计划离开三星电子，回到哈佛大学从事研究。一位业内人士表示，“（韩敦熙）因与学校的关系，不可避免地辞职，但据我了解，他还会继续与三星电子保持联系。”
韩敦熙，来自釜山，是首尔大学物理系以优异成绩毕业的“本土”研究员，2002年28岁时被任命为哈佛大学教授，成为最年轻的韩国教授。
2008年，他被麻省理工学院（MIT）出版的科技杂志《技术评论》评选为“年度35位青年科学家”之一。主要研究领域为移动电话、全球定位系统（GPS）等所使用的超高速电路，以及结合电子工程与生物技术利用集成电路控制细胞的研究。2021年，韩敦熙与三星电子顾问Kim Ki-nam、前三星SDS社长Hwang Seong-woo共同撰写的有关下一代AI半导体技术神经形态的论文也发表在世界知名期刊《Nature》上。
三星2022年公布了世界首款基于MRAM（非易失磁阻内存）的内存内计算，相关论文也由《Nature》在线发表，同时会在即将出版的纸质版《Nature》杂志上刊登。这篇名为《用于内存内计算的磁阻存储器件的交叉阵列》的论文展示了三星在内存技术上的领先地位，以及在下一代人工智能（AI）芯片中合并存储器和半导体系统所做的努力。
该研究是由三星高级技术研究院（SAIT）与三星电子代工业务和半导体研发中心一起展开，由SAIT员工研究员Seungchul Jung博士、SAIT研究员、哈佛大学教授韩敦熙博士、以及SAIT技术副总裁Sang Joon Kim博士带领的团队进行。
三星的研究人员通过架构创新提供了解决方案，成功开发了一种MRAM阵列芯片，应用了名为“电阻总和（resistance sum）”新型内存计算架构，解决了单个MRAM器件的小电阻问题。三星的研究团队通过该MRAM芯片进行AI运算，并对其性能进行了测试，结果显示在手写数字分类方面的准确率达到了98%，而在场景中检测人脸方面的准确率达到了93%。
