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近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。
此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了独具匠心的极化超级结（PSJ）技术，并对生产工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定工作电压大幅提升至1700V，工作电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为强劲的“芯”动力。
在此次合作测试中，泰克科技凭借其先进的测试设备与专业的技术团队，对远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品进行了全方位、多维度的性能检测。静态测试结果显示，该器件在1700V电压下反偏漏电流Idss仅为4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA漏电流条件下，Vds电压成功突破1750V，击穿电压表现卓越，为器件的高可靠性运行奠定了坚实基础。
同时，作为常开型器件，其阈值电压测试精准可靠，当Vds = 10V，Id = 1mA时，实测阈值电压Vth稳定在-4.1V，确保了器件在不同工作条件下的精准控制。在导通状态下，测试条件为Vgs = +3V，Id = 20A，电流脉宽300uS时，四线模式下实测导通电阻仅为107mΩ，远低于行业同类产品，展现出出色的导电性能。
动态特性测试更是亮点纷呈。由于泰克科技目前的GaN测试电路最大测试电压为1000V，为确保测试安全，双方在900V电压条件下对该器件进行了双脉冲测试。测试条件为：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，负载电感L = 200uH。
测试波形清晰显示，在900V高压条件下，Vds波形在两次导通阶段内保持稳定低电压，几乎接近0V，充分证明了器件在高压硬开关操作下未出现电流崩塌现象，其动态性能卓越，可靠性极高。
为进一步精准测量功率器件在开关过程中的动态导通电阻值，泰克科技运用钳位探头对器件进行深入测量。钳位探头可有效过滤信号高压部分，以较小量程精准测量低压部分，尤其适用于快速开关条件下，准确测量导通条件下的器件两端电压降。通过电压钳位探头测量得到的钳位电压Vds-clamp，结合导通电流Id，依据欧姆定律计算得出动态导通电阻D-Rdson。
测试数据表明，在不同电压条件下，器件的归一化动态电阻随测试电压升高增加比例较小，300V、600V、900V时分别为1、1.07、1.18，彰显了器件在高压开关条件下稳定的工作状态，其性能表现远超预期。
此次测试结果充分展现了远山半导体1700V GaN器件的卓越性能，其各项指标不仅刷新了市场对GaN器件的认知，更是快速逼近甚至在部分性能指标上超越了主流SiC功率器件。未来，随着GaN器件在长期工作可靠性及成本优势方面的进一步凸显，有望在工业领域大放异彩，逐步实现对SiC功率器件的替代，开启功率器件市场的新篇章。
泰克科技与远山半导体的紧密合作，再次为半导体行业树立了产学研用协同创新的典范。双方将继续携手共进，不断探索与突破，推动GaN器件技术的持续进步，为全球电子产业的高质量发展贡献更多力量。
