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日本铠侠（Kioxia）正在加速扩张其先进NAND产能。据了解，原定于今年上半年进行的设施投资计划被提前，并且设备订单在去年年底就已开始。
铠侠还在今年下半年制定了针对下一代NAND的投资计划。作为迅速赶超三星电子、SK海力士等主要竞争对手的战略，预计与韩国NAND行业的技术竞争将会加剧。
据业内人士1月13日透露，铠侠自去年年底以来一直在投资设施扩大其NAND生产能力。
铠侠是日本主要的NAND公司，截至去年第二季度，其在全球NAND市场份额中排名第三，生产基地位于日本三重县四日市市及岩手县北上市。
铠侠去年 12 月在东京证券交易所 Prime 市场上市时筹集了 1200 亿日元。该公司表示将利用这笔资金开发下一代NAND并扩大生产能力。日本政府还决定向铠侠提供2430亿日元的补贴。
事实上，铠侠正在积极投资以最新的第8代NAND为中心的设施。
铠侠最初计划于今年 1 月开始资本投资，以填补其四日市“Y7”工厂的最后闲置空间。但经调查发现，去年第四季度就已经向相关合作伙伴下了订单，投资量约为每月15,000片。
北上“K2”工厂的投资原定于今年第一季度进行，但部分设备订单于去年年底就已开始。预计投资将继续稳步推进，以确保今年年底总产能达到 25,000片。
对第 10 代 NAND 的投资预计也将于今年下半年开始。第十代（预估为400层）是超越第九代的产品，是目前商业化的最新一代NAND。三星电子、SK海力士等企业也预计最早将于今年下半年开始量产第10代NAND。
半导体业内人士解释道，“根据铠侠上市前分享的投资计划，从今年下半年到2026年，将每月投资5万片第十代NAND，看来他们对下一代 NAND 技术有相当大的信心。”
如果铠侠的计划得以推进，预计与三星电子、SK海力士等公司的竞争将不可避免地加剧。
铠侠正在将其自主开发的“BiCS”技术应用于 NAND 产品。BiCS是一种垂直（3D）堆叠电池的技术，对于200层或以上的产品，采用混合键合，其中外围电路和电池在单独的晶圆上制造，然后直接键合。
三星电子和SK海力士也在加紧开发下一代技术，例如将混合键合应用于超过400层的NAND闪存。但目前尚无明确的实际量产投资计划。这是因为除AI数据中心以外的NAND市场低迷，并且下一代产品的适销性尚不明朗。
另一位行业认识表示，“目前，韩国存储器行业只专注于最大化效率的转换投资，而不是对下一代NAND的新投资，而不是增加NAND的世代，而是正在加大对QLC等AI行业的投入。”
