特瑞仕开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：木村 岳史，以下简称“特瑞仕”）开发了功率 MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R 作为功率器件的新系列。

近年来，工业设备和汽车相关设备对低功耗、小型化和高效化的需求不断增加。为了响应这些市场需求，特瑞仕不断加强 MOSFET 技术。特别是针对工业设备、数据中心和服务器使用的 48V 直流电机，采用了支持耐压 100V 的设计，兼具高性能与高性价比。

XPJ101N04N8R-G 实现了最大 4.4mΩ 的导通电阻，而 XPJ102N09N8R-G 实现了最大 9.4mΩ 的导通电阻。这种低导通电阻能够有效降低能量损失，有助于提高整个系统的效率。该产品拥有出色的 FOM（Figure of Merit），非常适合需要高速切换特性的应用。可用于直流电机、开关电路等多种应用场景。

产品采用 DFN5060-8L 封装（6.0 x 4.9 x h1.1mm），有助于设备的小型化。此外，这些产品符合欧盟RoHS 指令，并为无铅环保产品。

特瑞仕今后也将根据市场需求迅速开发产品，为实现富裕的社会继续做出贡献。

图 1. DFN5060-8L 封装(6.0 x 4.9 x h1.1mm)