砸9300亿！存储大厂疯狂扩张

预计美国美光今年将像去年一样积极扩大DRAM产能。基于美国政府确认的巨额补贴，现有DRAM工厂改造的投资计划于近期具体化。

据业内5日消息，美光去年底宣布将在弗吉尼亚州马纳萨斯地区投资高达21.7亿美元（约合158.857亿元人民币）。

美光科技的马纳萨斯半导体工厂是一家内存工厂，2018年开始投资建设新生产线和研发中心，约7年来首次追加投资。

美光计划通过这笔投资更新现有马纳萨斯晶圆厂的设施，并为汽车、航空航天和国防等特殊行业批量生产尖端 DRAM。不过，美光并未提及具体的转产投资计划或扩大产能规模。

美国商务部计划为此项投资提供总计2.75亿美元。美国商务部与美光科技去年12月签署了内容相同的初步交易备忘录。

与此同时，美光正在投资扩大爱达荷州和纽约州的 DRAM 产能，纽约将投资约1000亿美元，爱达荷州将投资250亿美元。美国商务部确认将为该投资提供价值61.65亿美元的半导体补贴。

如果加上弗吉尼亚州投资，美光将投资1271.7亿美元（9309.607亿元人民币）扩张。

美国正在积极致力于加强其国内内存供应链，其中美光处于领先地位。美国商务部还表示，“有了美光的投资，到2035年美国在先进存储芯片制造市场的份额将从不足2%增加到10%左右。”

在台湾地区，美光专注于扩大HBM（高带宽内存）产能。去年8月，美光以81亿新台币从友达手中收购了位于台中和台南的两家工厂，并决定将这些工厂改建为HBM等尖端产业的DRAM生产线。