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长鑫存储正准备将主要应用于人工智能领域的高带宽存储器（HBM）以自己的技术商业化并供应给客户。
由于美国政府的监管，中国几乎不可能进口三星电子和SK海力士HBM，因此长鑫存储有机会通过垄断当地企业的需求来快速增长。
据媒体12月31日报道，长鑫存储已开始向主要客户供应HBM2标准半导体样品，并计划于明年年中开始量产。
上一代 HBM 标准产品已经商业化，并且正在进行积极的生产投资。
有媒体评价道，“SK海力士、三星电子、美光等顶级公司已经开始量产HBM3E，并准备生产HBM4，但长鑫存储的HBM2是一个非常重要的成果。”
这是因为国内科技巨头在其主要产品中使用了HBM2。
中国企业一直依赖三星电子和SK海力士等韩国企业供应人工智能领域必不可少的HBM半导体。
然而，随着美国政府近期决定采取监管措施，有效禁止从中国进口HBM，相关供应链已难以避免出现重大中断。
在美国制裁的预期下，长鑫存储已经在利用自己的技术加速 HBM 的商业化，预计这些努力将获得进一步的突破。
由于HBM作为高性能存储半导体的性质，技术壁垒较高，因此在性能和产量良率上追赶三星电子和SK海力士极有可能不容易。
然而，随着中国将人工智能半导体供应链完全本土化，长鑫存储的作用变得越来越重要。
长鑫存储在包括 DDR5 在内的最新 DRAM 技术方面已经迅速赶上三星电子和 SK 海力士。
花旗集团的报告预测，长鑫存储的DDR5 DRAM良率一开始只有40%左右，但将在明年底达到80%和90%。
从明年开始，长鑫存储的DDR5产能预计将增至每月10万片晶圆，是目前水平的两倍，被认为是韩国半导体行业的威胁变量。
然而，三星电子和SK海力士正在生产采用12纳米微处理的DDR5 DRAM，而长鑫存储与韩国厂商仍存在很大的技术差距。
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