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三星电子去年宣布，将投资170亿美元在德克萨斯州泰勒建设半导体工厂，到2030年投资总额将达440亿美元。不过，这一投资计划减少70亿美元（510.895亿元人民币）至370亿美元。泰勒工厂的延误和全球半导体需求的下降似乎产生了影响。
除了位于德克萨斯州泰勒的半导体生产工厂外，三星电子还计划建造一座封装工厂和一座先进的研发 (R&D) 工厂。然而，由于泰勒工厂的建设最近被推迟，全球半导体市场的应对策略正在成为一项重大任务。
三星电子今年已在平泽 P3 生产线完成了 2 纳米工艺量产准备工作，目标是在 2025 年实现量产。三星电子计划通过升级2纳米工艺的下一代GAA技术来增强其竞争力。此外，三星提供从半导体设计到生产的一站式解决方案，并正在扩大与主要客户的合作。
最近有猜测称，英特尔可能会跳过2纳米工艺英特尔20A，直接转向1.8纳米工艺英特尔18A。这可以理解为通过优化RibbonFET技术和PowerVia电源技术来增强竞争力的策略。Intel 18A工艺正在开发中，目标是2024年下半年到2025年初量产。
据了解，在日本政府和大公司的支持下，Rapidus已经开始开发2纳米工艺并准备量产。特别是，Rapidus正在与 IBM 合作，以确保 2 纳米工艺技术并提高其竞争力，将在日本建立的2纳米生产线计划于2025年下半年开始试生产。为此，据了解，ASML的EUV光刻机将于本月导入，量产线预计将于2027年建成。
Rapidus旨在通过这一举措赢得 NVIDIA 等全球客户的青睐。目前，NVIDIA主要依赖台积电，但由于三星电子和Rapidus也将重点发力2纳米工艺，因此他们有可能寻求供应链多元化。
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