ALD,ALE与传统技术相比的优势？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：ALD（原子层沉积），ALE（原子层刻蚀）与传统的沉积，刻蚀技术相比，有什么优势？

先说传统镀膜与ALD效果的对比，传统薄膜沉积方法如 PECVD 或 PVD等，在高深宽比结构中，由于气体进出受到了物理限制，侧壁和底部区域的沉积速率不同。

薄膜覆盖在孔洞底部部分会比较薄，而孔口则沉积的较厚。当深宽比不断增大时，孔口由于太厚会出现封口现象，而孔内未完全填充而出现空洞。

ALD 是一种逐层沉积的“自限性”反应，每次仅沉积一个原子层，在复杂结构的侧壁、底部和顶部实现均匀覆盖，几乎没有空隙或不均匀性。适合于高深宽比的 3D 结构。

再说传统刻蚀与ALE（原子层刻蚀）的效果对比，传统刻蚀随着深宽比的不断提高，会出现侧壁弯曲不陡直，甚至刻不下去的情况。但是ALE在极高深宽比中仍可实现均匀刻蚀，避免底部或侧壁过刻。

Tom组建了免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的朋友，群内会将各类半导体行业信息汇总，利于大家学习，强烈建议加Tom微信，Tom统一拉进群。