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三星电子开始投资可大规模生产的“1c” DRAM。据了解，近期已向相关合作伙伴订购了生产设备，安装工作将于明年2月左右开始。
由于1c DRAM是决定三星电子下一代HBM4竞争力的关键要素，因此看来正在为及时量产该产品做好准备。
据业内人士12月9日透露，三星电子最近开始订购设备，用于在平泽第四园区（P4）建设1c DRAM量产线。
三星平泽P4工厂是三星电子的一个重要半导体生产中心，分为四期建设。第一期为NAND闪存生产，第二期原计划为逻辑代工，但现已调整策略，三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设，将三期和四期专注于DRAM内存的生产，每一期总投资超30万亿韩元（1521亿元人民币）。
1c DRAM 是第六代 10 纳米 DRAM。电路线宽约为 11 至 12 纳米 (nm)，是比目前商业化的最新一代1b（第5代）DRAM领先一代的产品，预计从明年开始全面商业化。
因此，三星电子也一直在重点开发1c DRAM。去年第三季度，取得了明显的成果，例如首次获得了1c DRAM的“好芯片”（正常运行的芯片）。
此外，三星电子已经开始准备量产1c DRAM。最近发现P4内的新DRAM生产线已投资用于量产1c DRAM的设备。到目前为止，1c DRAM 仅在试生产线上生产。
因此，主要设备公司的设备预计将于明年第一季度开始引进，按投资规模计算产能约为每月15000片。虽然目前规模不大，但据报道正在讨论追加投资的事宜。
半导体行业的一位人士表示，“曾讨论过每月投资约 30000片，但三星电子最近确认的采购订单 (PO) 规模约为每月 15,000片。”
三星电子的1c DRAM在供应下一代HBM（高带宽存储器）HBM4（第六代HBM）的竞争中也具有重要意义。
三星电子一直使用1a（第4代）DRAM，直至HBM3E（第5代HBM），但计划在HBM4中使用1c DRAM。主要竞争对手 SK 海力士和美光在 HBM3E 之后在 HBM4 中保留 1b DRAM。
HBM 是多个 DRAM 垂直堆叠的存储器。因此，核心芯片DRAM的性能对HBM的性能有重大影响。这就是为什么人们预计，如果三星电子成功地将1c DRAM应用于HBM4，它将能够重新获得在下一代HBM市场的领导地位。
不过，目前还很难确定三星电子是否能够成功量产1c DRAM和HBM4。尽管三星电子正在全力开发1c DRAM，但尚未能够实现稳定的良率。
另一位人士表示，“三星电子的目标是在明年下半年量产HBM4，因此似乎正在为此进行设备投资。关键在于DRAM和HBM的良率能多快提高。”
