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美国未制裁长鑫存储的可能性分析

12/09 10:50
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盟友压力与利益权衡 

美国此次未将长鑫存储列入制裁名单,部分原因是来自日本的反对。长鑫存储与日本半导体行业合作密切,而中国是日本半导体产品主要的出口对象,若响应美国对华限制出口芯片,日本半导体产业将下滑,影响未来产业合作发展。此外,中国掌握着丰富的稀有金属材料镓、锗等,是制造半导体的主要来源,一旦日本跟随美国限制芯片出口,中国可能限制这些材料出口,日本半导体生产将受影响。同时,日本似乎也在中美之间寻求平衡,其在经贸上依赖中国,中日贸易往来能促进日本发展。

自身利益的考量 

美国企业在华有巨大的经济利益,2023年美国对华芯片出口额暴跌25%,高通英特尔等巨头市值蒸发超1000亿美元。而中国集成电路产业销售达到1.2万亿元,同比增长超20%,国产28纳米芯片已量产,良品率突破95%,且中国芯片市场规模庞大,2023年进口芯片总额高达3800亿美元,占全球芯片市场的45%,美国企业不愿放弃这一巨大市场。

长鑫存储的技术与市场地位 

长鑫存储在技术研发和市场拓展方面取得显著进展,已推出多款DRAM商用产品,广泛应用于移动终端、电脑、服务器等领域,其二期扩建预计于2024年底前完成,届时每月将增加40000片晶圆,使DRAM总产能达到全球规模的10%。若美国制裁长鑫存储,可能促使中国加快半导体产业自主创新,进一步减少对美国技术和产品的依赖,不利于美国在全球半导体产业的长期竞争。

制裁效果与国际反应 

美国此前的单边制裁未能阻止中国芯片产业发展,反而加速其自主创新。此次若继续扩大制裁范围,可能引发更强烈的国际反应,损害美国与盟友关系,也会引起国际市场对美国贸易保护主义的反感,破坏全球半导体产业链的稳定。

美国未制裁长鑫存储,并非因其技术水平威胁不大,而有多方面因素综合考量。

从技术发展来看,长鑫存储已取得显著进步。2018年底推出8GB DDR4工程样片并于2019年量产,实现国产内存条零突破,打破美韩垄断。其DRAM产能已超过台湾南亚科技,仅次于三星、SK海力士美光,从全球份额的不到3%到占比10%并持续上升。2024年12月还取得“驱动电路”“传输电路、接口电路以及存储器”等专利,展现了强大的自主研发与创新能力。

市场竞争角度,长鑫存储作为中国大陆唯一能大规模量产Dram的公司,是SK海力士和三星等的潜在竞争对手,一旦制裁可能导致市场失衡,影响全球存储芯片市场的稳定和供应链安全。

战略层面考量,美国此前的制裁未达预期效果,反而促使中国加快半导体产业自主创新,减少对美技术和产品依赖。若制裁长鑫存储,可能进一步推动中国芯片产业发展,不利于美国在全球半导体产业的长期竞争。

半导体产业经济价值和市场潜力巨大,美国在该领域技术领先,掌握着核心技术和关键环节。其担心中国半导体产业崛起后与之竞争,威胁其在全球半导体市场的主导地位和经济利益,因此通过限制中国发展先进半导体,来保持自身技术优势。

美国将中国视为战略竞争对手,在贸易战背景下,拿半导体产业开刀,试图切断中国与外界的技术交流和产业合作,削弱中国的产业链优势。

长鑫存储

长鑫存储

2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。收起

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