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近日，国内4个SiC相关项目公布新进展：
● 超芯星：碳化硅衬底产业化项目竣工验收，可形成3万片/年的生产规模。
● SuperSiC晶瑞电子：碳化硅衬底晶片生产基地项目完成水土保持设施验收，规划年产40万片。
● 长飞先进：武汉基地将于11月设备搬入，预计明年5月量产通线，项目进度提前了2个月。
● 奥通碳素：“年产2000吨等静压石墨及年产0.12吨碳化硅晶锭项目”环评审批通过，总投资1.5亿。
超芯星：SiC衬底项目竣工
10月24日，据“苏环院”官网消息，江苏超芯星半导体有限公司旗下“碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目”已于近期竣工验收，目前正在稳定运营中。
据介绍，该项目位于南京江北新区集成电路产业化基地，属迁建建设类项目；新厂房利用碳化硅单晶制备、切割、研磨、抛光及晶体、晶片检测仪等设备，建设碳化硅晶体生长及加工生产线，项目建成后形成年产碳化硅衬底3万片的生产能力和规模。
“行家说三代半”了解到，超芯星于2021年已投资3亿元建设第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目，项目位于南京市江北新区龙泰路润诚科技园；由于现有厂房规模无法满足后续发展需求，超芯星再投3亿元将该项目从润诚科技园搬迁至集成电路产业化基地，项目工艺、产品、产能不变。
该项目于2024年5月取得环评批复，并开始生产车间施工装修、设备安装与调试。同年7月工程竣工，并开始试生产；目前工程能够稳定运营。
官网信息显示，超芯星半导体成立于2019年，致力于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化，目前可提供6/8英寸碳化硅晶体、6/8英寸碳化硅衬底、碳化硅晶片位错密度检测等产品及服务。
2023年7月，超芯星还宣布与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议，未来将根据客户的扩产进度，为其提供优质衬底。
SuperSiC晶瑞电子：SiC衬底项目即将建成
9月23日，据“水土保持公示网”披露，SuperSiC晶瑞电子建设的“碳化硅衬底晶片生产基地项目”已于2024年9月通过了水土保持设施自主验收。
根据验收报告，该项目位于宁夏回族自治区银川经济技术开发区，项目总占地 17.94hm²，属新建建设类项目。
项目总投资33.6亿人民币，规划建设规模为年产40万片6英寸及以上碳化硅衬底晶片，主要建设内容包括综合服务楼1座、晶创车间1座、绿精灵晶体车间1座、配套厂房2座等，部分未建设的生产车间区域现在撒播种草绿化。该项目于2022年4月开工，计划于2024年12月完工，总工期33个月。
资料显示， SuperSiC晶瑞电子，属晶盛机电控股公司。2021年10月，晶盛机电发布公告称，拟定增募资不超57亿元，其中拟投入超33亿元在宁夏银川建碳化硅项目，项目实施主体为 SuperSiC晶瑞电子。
长飞先进：武汉基地将提前量产通线
10月30日，据中国光谷消息，长飞先进武汉基地相关负责人对外介绍，长飞先进武汉碳化硅基地11月设备即将进驻厂房，明年年初开始调试，预计2025年5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。
据“行家说三代半”此前报道，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。
该项目于2023年8月25日落户武汉，并于7天后动工建设。今年6月，项目主体结构全面封顶。按照原计划，项目将于2025年1月设备搬入，2025年7月量产通线，2026年年底达到满产。截止目前项目最新动态显示，项目提前了2个月的进度。
奥通碳素：建设等压石墨及SiC晶锭项目
9月29日，据四川内江市生态环境局公示，他们拟对年产2000吨等静压石墨及年产0.12吨碳化硅晶锭项目环境影响报告表作出批复决定，并进行公示。
文件披露，该项目建设单位为奥通碳素（内江）科技有限公司，项目位于内江市东兴区东兴经济开发区，总投资1.5亿元，租赁四川佳川智能科技有限公司标准化厂房7800平方米建设石墨车间、机加车间。
其中，年产2000吨等静压石墨生产线新建磨粉、混捏、成型、浸渍、机加工、纯化生产线以及相应配套的公辅设施，焙烧和石墨化均委外；年产0.12吨碳化硅晶锭生产线新建拉晶生产线以及相应配套的公辅设施。
资料显示，奥通碳素成立于2024年2月，一般业务包括石墨及碳素制品制造；石墨及碳素制品销售等。
