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4个国产SiC项目新进度:合计79万片、竣工验收

11/04 09:55
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近日,国内4个SiC相关项目公布新进展:

● 超芯星:碳化硅衬底产业化项目竣工验收,可形成3万片/年的生产规模。

● SuperSiC晶瑞电子:碳化硅衬底晶片生产基地项目完成水土保持设施验收,规划年产40万片

● 长飞先进:武汉基地将于11月设备搬入,预计明年5月量产通线,项目进度提前了2个月。

● 奥通碳素:“年产2000吨等静压石墨及年产0.12吨碳化硅晶锭项目”环评审批通过,总投资1.5亿

超芯星:SiC衬底项目竣工

10月24日,据“苏环院”官网消息,江苏超芯星半导体有限公司旗下“碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目”已于近期竣工验,目前正在稳定运营中。

据介绍,该项目位于南京江北新区集成电路产业化基地,属迁建建设类项目;新厂房利用碳化硅单晶制备、切割、研磨、抛光及晶体、晶片检测仪等设备,建设碳化硅晶体生长及加工生产线,项目建成后形成年产碳化硅衬底3万片的生产能力和规模。

“行家说三代半”了解到,超芯星于2021年已投资3亿元建设第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目,项目位于南京市江北新区龙泰路润诚科技园;由于现有厂房规模无法满足后续发展需求,超芯星再投3亿元将该项目从润诚科技园搬迁至集成电路产业化基地,项目工艺、产品、产能不变。

该项目于2024年5月取得环评批复,并开始生产车间施工装修、设备安装与调试。同年7月工程竣工,并开始试生产;目前工程能够稳定运营。

官网信息显示,超芯星半导体成立于2019年,致力于6-8英寸碳化硅衬底技术的开发与产业化,目前可提供6/8英寸碳化硅晶体、6/8英寸碳化硅衬底、碳化硅晶片位错密度检测等产品及服务。

2023年7月,超芯星还宣布与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议,未来将根据客户的扩产进度,为其提供优质衬底。

SuperSiC晶瑞电子:SiC衬底项目即将建成

9月23日,据“水土保持公示网”披露,SuperSiC晶瑞电子建设的“碳化硅衬底晶片生产基地项目”已于2024年9月通过了水土保持设施自主验收

根据验收报告,该项目位于宁夏回族自治区银川经济技术开发区,项目总占地 17.94hm²,属新建建设类项目。

项目总投资33.6亿人民币,规划建设规模为年产40万片6英寸及以上碳化硅衬底晶片,主要建设内容包括综合服务楼1座、晶创车间1座、绿精灵晶体车间1座、配套厂房2座等,部分未建设的生产车间区域现在撒播种草绿化。该项目于2022年4月开工,计划于2024年12月完工,总工期33个月。

资料显示, SuperSiC晶瑞电子,属晶盛机电控股公司。2021年10月,晶盛机电发布公告称,拟定增募资不超57亿元,其中拟投入超33亿元在宁夏银川建碳化硅项目,项目实施主体为 SuperSiC晶瑞电子。

长飞先进:武汉基地将提前量产通线

10月30日,据中国光谷消息,长飞先进武汉基地相关负责人对外介绍,长飞先进武汉碳化硅基地11月设备即将进驻厂房,明年年初开始调试,预计2025年5月可以量产通线,随后将开启良率提升和产能爬坡。

据“行家说三代半”此前报道,长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,项目总投资预计超过200亿元,项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块,广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。

该项目于2023年8月25日落户武汉,并于7天后动工建设。今年6月,项目主体结构全面封顶。按照原计划,项目将于2025年1月设备搬入,2025年7月量产通线,2026年年底达到满产。截止目前项目最新动态显示,项目提前了2个月的进度。

奥通碳素:建设等压石墨及SiC晶锭项目

9月29日,据四川内江市生态环境局公示,他们拟对年产2000吨等静压石墨及年产0.12吨碳化硅晶锭项目环境影响报告表作出批复决定,并进行公示。

文件披露,该项目建设单位为奥通碳素(内江)科技有限公司,项目位于内江市东兴区东兴经济开发区,总投资1.5亿元,租赁四川佳川智能科技有限公司标准化厂房7800平方米建设石墨车间、机加车间。

其中,年产2000吨等静压石墨生产线新建磨粉、混捏、成型、浸渍、机加工、纯化生产线以及相应配套的公辅设施,焙烧和石墨化均委外;年产0.12吨碳化硅晶锭生产线新建拉晶生产线以及相应配套的公辅设施。

资料显示,奥通碳素成立于2024年2月,一般业务包括石墨及碳素制品制造;石墨及碳素制品销售等。

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