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10月29日，半导体大厂英飞凌宣布推出全球最薄硅功率晶圆，成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。
英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示，随着AI数据中心的能源需求大幅上升，能效变得日益重要。这给英飞凌带来了快速发展的机遇，英飞凌预计其AI业务收入在未来两年内将达到10亿欧元。
晶圆厚度仅为头发丝1/4
技术规格上，这种晶圆直径为30mm，厚度20μm仅为头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。通常来讲，晶圆的厚度大致在几十到几百微米之间。此次英飞凌将晶圆厚度降低到20μm，可谓是业界全新的突破。但业界也认为，更薄的晶圆也将面临一些新的技术挑战，例如传统工艺兼容、翘曲等问题。
技术优势上，与基于传统硅晶圆的解决方案相比，该技术晶圆厚度减半，基板电阻可降低50%，功率系统中的功率损耗可减少15%以上。对于高端AI服务器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压，对于功率转换来说尤为重要。
应用领域上，英飞凌这款超薄晶圆技术已获得认可，并被应用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转换器）中，且已交付给首批客户。英飞凌指出，这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。
目前，英飞凌拥有全面的产品和技术组合，覆盖了基于Si、SiC和GaN的器件。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体作为新型半导体材料，因其在高功率应用中的卓越表现，也被认为是硅的下一代继任者。英飞凌称，硅将继续在许多领域占据主导地位，但英飞凌也在积极推进SiC和GaN技术的发展。
在氮化镓方面，英飞凌推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆；碳化硅方面，该公司提升其200毫米晶圆产能，目前已建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂，晶圆厂位于马来西亚居林。
上述体现出英飞凌加强布局功率半导体市场的决心。
超薄晶圆技术，半导体业“重要推手”
放眼全球格局，功率半导体市场呈现出明显的分层竞争格局。全球市场主要被海外IDM巨头占据，其中英飞凌以一定优势的领先同行，其次是德州仪器、安森美、意法半导体等企业。
针对此次突破，业界认为，超薄晶圆技术的推进有望进一步扩大英飞凌在全球功率半导体市场的领先优势，或加剧全球功率半导体市场的同质化竞争，驱动同行加快技术创新和产品升级。
近年来，随着科技行业的发展，市场对低能耗、小尺寸、超薄化芯片的需求不断提升，进而推动超薄晶圆的需求上涨。这种市场需求的增长将促进半导体行业的快速发展，尤其是晶圆薄化技术的广泛应用。
英飞凌预测，在未来三至四年内，现有的传统晶圆技术将逐步被这种超薄晶圆技术所取代，尤其在低压功率转换器领域。这预示着，未来，超薄晶圆技术可能会成为功率半导体市场的主流技术，引领行业技术发展的趋势。
对于全球半导体行业而言，超薄晶圆技术的发展推动技术进步和市场格局的变化，对供应链、制造工艺以及市场需求产生了重要影响，并将进一步促进低碳化和数字化的进程。
