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良率提升20%!国产8吋可视化SiC电阻炉亮相!

10/29 08:23
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10月26日,据“证券时报”消息,晶升股份已成功研发了可视化的8英寸电阻SiC单晶炉,晶体良率可提升20%以上,目前该设备已在客户端过验证

据悉,晶升股份研发的8英寸电阻法碳化硅单晶炉能够使碳化硅晶体生长过程变得“可视”,从而降低了研发成本,并为8英寸衬底的量产提供了设备基础。

据晶升股份董秘吴春生介绍,碳化硅单晶的生长以前在一个完全密闭的‘黑匣子’里进行,生长过程不可视导致每次看晶体就像开“盲盒,只有打开炉体时才知晓晶体的生长状况。由于对晶体生长状态缺乏有效的观测手段,晶体生长过程中的异常无法及时调整,工艺开发需要大量实验去试错并迭代优化,这就导致开发周期长、费用高、良率低等问题。

而晶升股份向市场推出的8英寸电阻法碳化硅单晶炉,引入可视化检测系统,可实现长晶过程看得见。吴春生进一步介绍道,基于实时观测生长速度和粉料演变状态,该单晶炉可通过干预调节功率、压力等条件,让晶体生长处于可控状态。

此外,该设备针对温度梯度控制的难题,采用多加热器布局,每个加热器可以单独控制,有效解决了温度梯度可控性差的问题,提高了晶体生长的品质;晶升股份团队从模拟、结构、材料选择等方面经过数十次的实验,最终找到二者的平衡点,将最低的长晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下

资料显示,晶升股份成立于2012年2月,从事8-12英寸半导体单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发;2023年4月,晶升股份正式登陆科创板,通过IPO,晶升股份拟募资4.76亿元,将用于总部生产及研发中心建设项目、半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目,项目计划包括6英寸至8英寸碳化硅单晶炉研发。

2024年H1,晶升股份营收1.99亿元,同比增长73.76%;净利润0.35亿元,同比大幅增长131.99%,实现了营收净利双增长;而在本次业绩报喜前不久,晶升股份还宣布实现了8英寸碳化硅长晶设备批量交付,其第一批8英寸碳化硅长晶设备已于2024年7月在重庆完成交付,开启了批量交付进程。

晶升股份8英寸碳化硅长晶设备相关业务已进入了新的发展阶段,未来将贡献新的业绩增长点。

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