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近日，中国台湾及辽宁省分别新增了新工厂，SiC衬底年产能达7.2万片，合计投资近6亿，详情请看：
台湾格棋SiC工厂落成6吋衬底年产能7.2万片
10月23日，据台媒报道，中国台湾SiC新玩家——格棋化合物半导体于23日举行了其位于桃园中坜区新工厂的落成典礼。
据介绍，新厂总投资金额达6亿新台币（约1.33亿人民币），预计2024年第四季达到满产。其中，6吋碳化硅衬底月产能达5000片；2024年底前，新厂将安装20台8吋长晶炉及100台6吋长晶炉，将大幅提升整体产能。
此外，格棋还在新厂落成仪式上与台湾中科院及日本三菱达成合作，加强在SiC领域的技术合作、市场布局：
● 与中科院签署合作协议：双方将共同开发高频通讯用碳化硅组件，透过此次合作加速进军高频通讯碳化硅市场的脚步，为5G/B5G通讯基础建设提供关键组件。
● 与三菱签署合作协议：双方将致力于扩大日本消费类和车用市场的SiC产品布局，将由三菱将向日本客户提供6吋和8吋的晶锭、晶圆以及外延材料，而格棋则整合台湾地区的资源，供应相应的材料给日本客户。
据其官网资料显示，格棋成立于2022年，公司长期关注第三代化合物半导体的市场需求和工艺技术开发，公司团队成员在该领域拥有超过10年的经验。2023年10月，格棋宣布成功完成了15亿新台币（约3.33亿人民币）的A轮融资，用于推进6吋SiC生产线的小规模试量产，同时寻求更大的新厂房土地展开大量生产。
在制程领域，格棋团队于2023年5月采用PVT法成功开发出了8英寸N型晶体；除了长晶技术之外，公司同时还具备有切磨抛技术的开发能力，对于制程进行晶圆切片工作及提供客户对接时更完整的产品与技术服务。
奥亿达投资超4亿新建热场隔热材料工厂
9月9日，据“海城正发布”官微消息，辽宁奥亿达新材料股份有限公司正在积极推进其年产1000吨沥青基碳纤维和500吨热场隔热材料的一体化生产及研发中心建设项目，项目规划于10月中旬完成厂房与附属设施建设，预计在明年年初正式达产。
据介绍，该项目计划总投资4.52亿元，占地面积达8.5万平方米。建设内容包括新建厂房、研发中心、控制中心等基础设施。项目达产后，预计实现营业收入约3.3亿元，年税后利润总额1.7亿元，并提供329个就业岗位。
资料显示，奥亿达新材料成立于2011年，目前已形成了“石油沥青-沥青基碳纤维－热场材料”全产业链布局。尤其是在第三代SiC半导体晶体与外延生长领域，公司率先打破国外企业在半导体热场隔热材料领域的垄断，填补了国内本领域的空白，为我国第三代半导体产业健康发展作出了贡献。
值得一提的是，奥亿达新材料已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布，届时也将深入展示奥亿达新材料的SiC最新进展和布局。
除奥亿达新材料外，合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱、士兰微、意法半导体、西湖仪器等已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，期待更多SiC领域的行家企业加入，共同推进碳化硅半导体产业发展，了解更多详情请扫描海报二维码。
