匀胶时边胶过厚如何改善？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：为什么在匀胶时晶圆边缘胶更厚?如何改善？

什么是wafer edge bead？

wafer edge bead，又叫做边胶，是指在晶圆的边缘区上的光刻胶出现较厚的突起现象。

为什么会形成wafer edge bead？

1，光刻胶粘度过大

2，旋涂速度过慢，旋转时间过短。以上会导致匀胶时的离心力过小，边角没有被及时甩下来。

wafer dege bead有什么危害？

1，边胶中含有大量的溶剂，在软烘后依然保持较高含量，这样会污染掩膜版

2，容易在后续工艺过程中剥落，形成颗粒。这些颗粒可能会污染晶圆表面，导致良率下降。

3，导致曝光分辨率低，侧壁不陡直

如何改善？

1，增加洗边步骤：用EBR溶液清洗晶圆边缘，去除过厚的光刻胶

2，使用较高转速，利用较高的加速度，在短时间内获得较高的旋转速度

3，在旋涂工艺要结束时突然增加旋转速度使边胶脱离4，稀释光刻胶粘度等等

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