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    • 中外光储充变流器市场趋势
    • 主要的市场商机在哪里?
    • 主要的技术挑战是什么?
    • 如何提高产品竞争力?
    • 安森美为中国市场提供独特的解决方案
    • 安森美未来几年的产品规划
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三大挑战、四大商机:中国光储充变流器行业迎爆发期

10/21 13:15
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随着全球能源转型的加速推进,光储充变流器市场正迎来前所未有的发展机遇。中国作为这场能源革命的重要参与者,其政策导向和技术创新正在塑造一个充满活力的市场环境。

在这一背景下,中国出海半导体网总编陈路对安森美现场应用工程高级经理庄伟君(WK Chong)进行了专访,他为我们深入剖析了中国及全球光储充变流器市场的最新发展趋势、面临的挑战与机遇,以及安森美如何通过其创新解决方案来引领行业发展。本文将带您一探究竟,了解这一领域内的最新动态和未来展望。

中外光储充变流器市场趋势

中国市场: 在政策支持 和“双碳” 目标大背景下,中国在大力推动新型储能多元化高质量发展取得显著成效. 国家能源局先后出台《关于加快推动新型储能发展的指导意见》《“十四五”新型储能发展实施方案》等文件,引导各地因地制宜发展新型储能。成绩也是比较亮眼的, 让我们来看看一些关键趋势和数据:

根据国家能源局数据,截至2023年底,全国已建成投运新型储能项目累计装机规模达31.39GW,总储能量为66.87GWh,平均储能时长为2.1小时。2023年新增装机规模约为22.60GW,总储能量为48.70GWh,较2022年底增长超过260%。这一增长速度近乎是“十三五”末装机规模的10倍,显示出新型储能市场的强劲发展势头。

海外趋势:虽然储能在各领域中的应用还不尽成熟,但美国、欧洲、澳大利亚等国家和地区已经开始将储能应用于分布式光伏系统。特别是在电价较高、政策鼓励的国家与地区,“光伏+储能”系统已成为用户侧降低电费支出、提高供电可靠性和减少环境污染的重要手段。

值得关注的是,锂离子电池技术在新型储能装机领域占据了92.7%的比例,其市场主导地位在行业竞争中遥遥领先。此外,压缩空气储能、液流电池储能、飞轮储能等技术也在快速发展,多个百兆瓦等级项目开工建设, 呈现多元化的发展态势。

这些趋势和数据表明,新型储能市场, 光储充变流器市场正在迅速发展,尤其是在中国,这一市场的增长受到了政策的大力支持和技术进步的推动。同时,国际市场对于高质量产品的需求也在不断增长,为中国及其他国家的企业提供了新的机遇。

图:安森美现场应用工程高级经理庄伟君(WK Chong)

主要的市场商机在哪里?

中国光储充变流器供应商目前的主要商机主要集中在以下几个方面, 让我们来探讨一下:

光储结合趋势:光伏发电和储能系统的结合被认为是未来的大趋势。随着光伏装机量的增加,光储一体化系统的需求也在不断上升。因此,供应商可以专注于开发光储一体化解决方案,以满足市场需求。

分布式储能市场:分布式工商业储能逐渐释放潜力。随着工商业对稳定供电的需求增大,以及分布式储能试点的相继落地,分布式储能系统的市场前景广阔。供应商可以关注这一领域,提供适用于用户侧和微电网的储能变流器解决方案。

全球市场需求:全球逆变器替换需求不断增加,特别是在发展较早的欧洲市场。随着光伏装机量的提升,逆变器更新市场规模也将快速增长。光储结合作为未来的大趋势,将进一步推动储能逆变器市场的发展。

中国市场增长:中国储能变流器新增市场规模预计将持续增长。随着储能成本的降低和新能源装机量的增加,储能逆变器市场前景广阔。供应商可以关注中国电化学储能系统的新增市场,提供储能变流器解决方案。

主要的技术挑战是什么?

中国光储充变流器供应商目前面临的主要技术挑战包括:

技术难度: 储能变流器需要考虑双向电流,技术难度较大,安全性要求更高;IGBT/SiC功率器件作为光储充逆变器及储能变流器的核心半导体部件,性能的好坏直接影响光伏发电效率,故而对其性能和可靠性要求较高。
2)成本控制: 虽然市场增长前景确定,但储能产品近几年产能快速释放,带来了产品价格下跌。 2024年初储能电芯报价已低至 0.4 元 /Wh,相比于 2023 年 1 月的底价降幅超 50% 以上,电芯价格下跌, 这也直接影响国内储能系统中标价格战愈演愈烈, , 因此如何有效控制成本是一大挑战;

3)技术标准统一: 市场上技术标准不统一,这对产品的广泛应用和行业的健康发展构成了挑战。

如何提高产品竞争力?

中国光储充变流器供应商要提高产品的竞争门槛,可以采取以下策略:

1)技术创新: 持续投入研发,推动技术进步,特别是在功率提升和光储一体化方面;

2)质量控制: 保证产品质量,满足国内外市场对高品质产品的需求;

3)成本优化: 通过规模化生产和供应链管理降低成本,提高价格竞争力;

4)市场拓展: 积极开拓国内外市场,特别是海外市场,以增加市场份额;

5)服务提升: 提供优质的客户服务和技术支持,增强客户忠诚度;

6)合作联盟: 与其他企业建立战略合作关系,共享资源,扩大影响力;

7)品牌建设: 加强品牌宣传,提升品牌影响力和市场认知度;

8)政策应对: 紧跟政府政策导向,把握政策带来的市场机遇;

安森美为中国市场提供独特的解决方案

安森美(Onsemi)为中国的光储充变流器市场提供了一系列独特的解决方案,特别是在可再生能源生产、电源管理和能源转换方面。他们的技术和产品旨在帮助客户应对光伏逆变器、储能和快充等系统设计方面的挑战。以下是一些具体的解决方案和优势:

1)SiC MOSFET和IGBT技术: onsemi的Elite SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模块(PIM)能够提升太阳能逆变器和储能系统的性能;

2)智能电源技术: onsemi的智能电源技术支持新一代的150kw智能商用逆变器,有助于提升市场占有率;

3)高能效封装: onsemi的IGBT FS7和Elite SiC MOSFET技术及高能效封装有助于推动产品力的发展;

4)定制化解决方案: onsemi提供定制化解决方案,助力客户实现最高能效的太阳能电池组、工业电源和储能系统;

5)垂直整合的SiC方案: onsemi提供从衬底到模块的端到端SiC方案,包括SiC晶球生长、衬底、外延、器件制造、集成模块和分立封装方案;

6)全球制造和支持能力: onsemi拥有全球领先的制造规模以及供应和支持能力,能够满足不同市场的需求;

这些解决方案和产品有助于推动光储充一体化发展,提高系统的功率密度与转换效率,同时满足市场对碳化硅的不断增长的需求。

安森美未来几年的产品规划

安森美在光储充变流器市场的发展前景看起来是积极的,以下是一些关键点,概述了安森美未来几年可能的发展方向和产品路线图:

1)光伏系统应用: 安森美针对光伏逆变器设计提供了多款高性能碳化硅以及最新第七代 IGBT产品(FS7),包括650V和1200V的SiC MOSFET和SiC二极管,混合SiC模块和全SiC模块配合最新的F5BP封装产品, 用于300kW+ 组串式逆变器, 215kW 储能PCS

,这些产品有助于提高系统功率密度与转换效率;从而降低了整体系统成本,优于其他方案

2)储能市场: 储能市场的火爆程度部分来自于锂电池的降价,安森美的产品有助于解决电力挑战,同时提供削峰填谷等优势,解决电网的负担和用户的电价问题;

3)全球制造和支持能力: 安森美拥有全球领先的制造规模以及供应和支持能力,这将帮助公司满足不同市场的需求,并在全球范围内扩大其市场份额;

4)产品创新: 安森美将继续推动产品创新,特别是在提高系统功率密度和转换效率方面。新一代M3 EliteSiC系列产品主要优化了高温下的性能,保持全温度下稳定的静态、动态特性;

5)投资和工厂升级: 为了满足市场对碳化硅的不断增长的需求,安森美进行了大力的投资和工厂扩建。在2023年9月安森美韩国工厂扩建 6吋/8吋SiC先进生产线竣工, 全负荷生产时,该晶圆厂每年将能生产超过一百万片8吋SiC晶圆。

这些发展方向显示,安森美正专注于通过技术创新和全球制造能力,来巩固其在光储充变流器市场的领导地位。

安森美成功案例分享

安森美与全球前10名光伏供应商中的9家客戶进行了深度合作,应用案例如下:

1)光伏应用案例

图表1:安森美光伏产品案例 图表1:安森美光伏产品应用案例

2)储能变流器应用案例

图表2:安森美储能变流器案例图表2:安森美储能变流器应用案例

安森美

安森美

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社

历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社收起

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