什么是正负反转光刻胶？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：图形反转胶兼具了正胶和负胶的作用，请问如何实现两种功能的转换？原理是什么？

什么是正负反转胶？

在一款光刻胶中既可以实现正胶功能，也可以实现负胶功能。主要功能以负胶为主，用于晶圆制造的lift off制程。关于lift off，详见文章：《什么是Lift off工艺？》

最常见的正负反转胶要数AZ5214E,固含量28%左右，匀胶厚度在1-2um之间。

正负反转胶实现正负胶功能的工艺差异？

正胶工艺流程：

涂胶 →烘烤 → 曝光 → 显影。曝光的区域在显影过程中被去除，未曝光区域保留。得到的图形与掩膜上的图形一致。

负胶工艺流程：

涂胶 →烘烤 → 曝光 →反转烘烤 →全局曝光 → 显影两个工艺的不同点在于，负胶工艺增加了曝光后烘烤与全局曝光，这两个步骤的作用是把本来要在显影液中溶解的曝光部分，转变为在显影液中不能溶解。

正负转换胶的原理？

在反转烘烤之前，曝光区域的光刻胶发生了光化学反应，而未曝光区域仍保持其原始状态，变得容易溶解。反转烘烤后，曝光区域的光刻胶中的光引发剂在高温下发生热分解，从而变得不溶于显影液。而未曝光区域仍保持其原始状态。

反转烘烤之后，会进行一次全局曝光。全局曝光即不使用光刻掩膜版，对整个晶圆进行无差别曝光。这次曝光的目的是让之前未曝光的区域曝光，从而能溶解在显影液中。而第一次曝光的光刻胶区域已经不再感光。因此实现了正负反转的功能。

知识星球中有Tom聊芯片智造的文章全集，在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升半导体制造能力，介绍如下：     《欢迎加入作者的芯片知识社区！》