三星电子正在开始下一代 Exynos 的开发,计划安装在Galaxy S27 上。在自家移动应用处理器(AP)的开发进程并不顺利的情况下,例如最近的“Exynos 2500”遇到良率问题,三星电子有望通过该产品恢复其实力。由于该芯片是通过2nm工艺生产的,这将是下一代代工厂的战场,因此这是一项与确保客户问题相关的重要任务。
据业内人士10月22日透露,三星电子已确认计划搭载在Galaxy S27上的下一代Exynos产品的代号为“Ulysses”,并将于今年年底正式启动该项目。尤利西斯(Ulysses)是希腊神话中英雄奥德修斯的拉丁语名字。
该产品将采用三星电子第二代2nm工艺SF2P工艺生产。SF2P工艺是正在开发的工艺,目标是2026年量产,是改进版本,相比第一代,性能和功耗效率都有所改善。该公司正在开发SF2P目标规范,与之前的版本相比,性能提高12%,功耗和面积分别减少25%和8%。负责芯片生产的代工部门目前正在生产测试芯片并验证工艺设计,以推进工艺。
负责芯片设计的系统LSI部门迫切需要恢复尊严。不仅Exynos与竞争对手高通Snapdragon芯片组之间的性能差距拉大,而且最近发布的Exynos产品也遭受了羞辱。为将于 2025 年初发布的 Galaxy S25 准备的 Exynos 2500 正处于开发的最后阶段,目前面临良率和性能等问题,目前尚不清楚是否会安装在 S25 上。由于上一代出现的性能问题,Galaxy S23系列全系列都配备了高通AP。
芯片的大规模生产对于晶圆代工厂的竞争力也很重要。三星电子在全球首次成功量产3nm工艺,但在完成度上落后,最终将所有相关市场都输给了台积电。台积电还占据了苹果、英伟达、AMD等使用3nm的主要客户。三星电子的处境不仅要在3纳米市场上竞争,还要在下一代战场——2纳米工艺的完整性上竞争。
竞争形势并不顺利。三星电子并不是唯一一家全力开发下一代工艺的公司。不仅是台积电,英特尔和日本Rapidus都瞄准了2㎚来撼动局面。得到日本政府全力支持的Rapidus正在准备复兴,目标是在2027年量产2nm半导体。业务下滑的英特尔正在尖端代工工艺上寻求扭亏为盈,并计划通过更精细的1.8纳米工艺参与2纳米竞争。台积电今年还通过超过 300 亿美元的大规模设施投资,加速 2nm 的量产,以继续在 3nm 领域保持领先地位。
一位业内人士表示,“三星的尖端代工工艺在最新的Exynos AP上拥有强大的客户基础。在消化大量Exynos产量并将积累的经验投入使用的同时,升级工艺并不容易。但是三星将能够在下一代工艺中继续更好地与台积电竞争。”