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三星电子正在开发的1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）正在成为半导体行业的最大话题。1c DRAM是三星电子、SK海力士等预计明年开始量产的下一代存储器。三星电子计划在今年年底前建成第一条 1c DRAM 量产线。
1c DRAM 对于三星电子来说很重要，因为 HBM（高带宽内存）正在引领半导体市场的增长。三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，计划于明年底发布。
三星电子遭遇了一些挫折，例如为主要客户英伟达（Nvidia）生产前几代产品（例如 HBM3 和 HBM3E）的时间被推迟。与竞争对手在 HBM3E 中使用 1b DRAM 不同，使用低一代的 1a DRAM 被指出是性能不佳的主要因素。
相反，对于HBM4，三星电子采用1c DRAM，SK海力士和美光采用1b DRAM。三星电子的策略是通过采用比竞争对手集成度更高的DRAM，快速提高一直落后的HBM的竞争力。
不过，业界对三星电子的 HBM 路线图存在诸多担忧。这是因为三星电子很有可能从HBM4开始颠覆DRAM和HBM开发的技术程序和实践。
由于HBM是基于通用DRAM制作的，因此保证通用DRAM的稳定性能非常重要。因此，业界首先开发了用于计算和移动的DRAM产品，然后经历了将其应用于HBM的过程。
不过，考虑到三星电子目前的举动，这一流程被省略或减少的可能性很大。三星电子原计划年内开始量产1c DRAM。考虑到设备投资的时间安排，全面量产最快也要到明年上半年。这样一来，距离HBM4的量产目标只剩下不到一年的时间了。
一位存储半导体行业人士表示，“通常只有当计算作为核心并衍生于移动、HBM等时，DRAM才是稳定的。三星这次是一次不寻常的尝试”。
事实上，SK海力士去年8月成功开发出全球首款基于1c工艺的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM，但并不适用于HBM4。据了解，更加注重稳定性而非性能提升的决定是考虑到了市场情况。
本月，三星电子在 1c DRAM 开发过程中首次获得了“好芯片”。好的芯片是指运行正常的半导体芯片。据说，公司内部给出了“希望出现了”的积极评价。
不过，有人指出，三星电子仍需要大量准备工作和程序才能稳定量产1c DRAM。与晶圆投入相比，三星电子在此开发过程中获得的优质芯片数量非常少。换算成收益率的话，算下来还不到10%。
此外，半导体制程要商业化还必须经过多个流程，例如工程样品（ES）在获得好芯片后完成芯片的封装，以及客户样品（CS）为客户完成质量认证。
一位业内人士表示，“三星电子在1c DRAM方面面临着一箭双雕的局面，包括尽快完成良率和性能稳定性。”
