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英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

10/21 09:32
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系,后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,帮助该公司开发先进的无线功率解决方案,为各行各业开辟解决功率难题的新途径。

此次合作将英飞凌的先进氮化镓(GaN)技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合,实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度,而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本,并提高产品的易用性。汽车行业利用该技术将车内体验和座椅动态性提升到一个新的水平;工业系统则利用该技术获得近乎无限的设计自由,包括自动导引车辆、机器人应用等。此外,由于该技术允许采用全密封系统设计,因此无需配备充电端口,减少了全球电池的使用量。

英飞凌科技电源与传感系统(PSS)事业部全球合作与生态系统管理团队的Falk Herm表示:“通过合作伙伴,我们再次证明了AWL-E能够充分发挥英飞凌CoolGaN™技术的系统级优势,提高紧凑性和效率。AWL-E与英飞凌在能力上形成互补,此次合作展示了GaN可以在兆赫频率下工作的特点,改变了功率晶体管的应用范式,带来了更加环保、性能更好的产品。”

AWL-E联合创始人、副总裁兼业务开发总监Francis Beauchamp-Verdon表示:“英飞凌认为最终需要通过一个强大的产业生态满足当今的功率需求,因此以一种特殊的方式让我们加入他们的大家庭。英飞凌的GaN晶体管、评估板和合作机会使我们基于GaN的兆赫级功率耦合系统得到普及。”

英飞凌是功率半导体市场的领导者,也是目前唯一一家掌握所有功率技术,同时提供全部产品和技术组合的制造商,包括硅器件(例如SJ MOSFETIGBT)、碳化硅器件(例如肖特基二极管和 MOSFET)和氮化镓器件(增强型HEMT)。其产品涵盖了裸片、分立器件和模块。

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