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近日，一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破，电压等级达3300V——
10月18日，据“泰克科技”官微消息，近日，远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件，并送往泰克科技进行了测试。
目前，远山半导体的产品线包括700V、1200V、1700V、3300V等多种规格的蓝宝石基氮化镓功率器件，这些器件采用了特有的极化超级结（PSJ）技术，提升了额定工作电压和工作电流至1200V/20A，主要应用于高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC、微型逆变器、便携储能、V2G等领域。
泰克科技测试结果显示，远山半导体氮化镓功率器件展现了良好的性能，包括高击穿电压、低阈值电压、低静态导通电阻等。在动态开关测试中，即使在高压条件下，器件也表现出了极高的开关速度，并且克服了电流崩塌现象。
总的来说，远山半导体的氮化镓功率器件在高电压大电流条件下表现出色，打破了传统氮化镓器件额定电压650V的限制。
“行家说三代半”了解到，远山半导体成立于 2017 年 10月 ，由公信投资管理有限公司、日本 PowDec 株式会社共同出资设立。该公司以独有的4英寸蓝宝石基氮化镓外延生长技术为基础，生产 650V~6500V 等多种规格的氮化镓功率半导体外延晶圆与功率器件。
其官微消息曾披露，他们已推出了单片耐压高达6500V，电流范围在5-30A内的GaN产品，外延生长时间仅需2-3小时，良品率接近100%，且成本大幅低于市场平均水平。
项目方面，远山半导体于2022年末规划新建项目，预计总投资15亿元，新增设备包括15台MOCVD设备、3条规模化芯片生产线和全套封装检测设备。当时远山半导体正寻求政府产业基金入股母公司，并希望项目公司能落户当地，同时寻求人才、厂房、设备补贴，并规划用地100亩。
合作方面，2024年4月，远山半导体与丰田合成株式会社在日本名古屋签订了合作协议，正式建立了战略伙伴关系。这一合作标志着双方将在GaN技术、产品、市场等方面展开实质性的业务合作，共同探索共赢发展的新路径。
