HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产

三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。

据半导体行业10月7日报道，三星电子最近首次成功确保了10纳米级第6代DRAM的良率。良率指的是良品与成品的比例。

三星内部评估称，随着第一批优质产品的生产，它已经跨过了1c技术里程碑。三星此前计划年内开始量产1c DRAM，甚至还绘制了将其引入计划于明年量产的第6代HBM路线图。如果这次能够确保首次良率并认真开始扩大良率，那么三星很有可能会继续其路线图。

随着第一批优质产品的问世，三星电子内存部门又重新焕发了生机。包括内存部门负责人在内的 D1c 开发高管在听到良率稳定的消息后，对员工们的辛勤工作表示感谢。

随着三星此次首次实现1c DRAM良率，竞争日趋白热化的HBM市场气氛是否会发生变化备受关注。三星在第五代产品 HBM3E 上失去了对 SK 海力士的领先优势，决定在 HBM4 核心芯片（下一代 HBM）上安装1c DRAM。考虑到上一代 HBM3E 使用的是第 4 代 (1a) DRAM，这就像跳过下一代第 5 代 (1b) 并直接进入1c DRAM。

半导体行业对此非常担忧。HBM自身技术落后，人们对跳过一代DRAM的三星是否会在下一代HBM中应用尖端DRAM存在深深的怀疑。特别是，据报道三星在满足1c DRAM良率方面遇到困难，情绪再次转向SK海力士。