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三星电子正在与晶圆代工业务的竞争对手台积电联手，共同开发高带宽内存（HBM）技术和服务。三星将从第6代HBM（HBM4）开始与台积电合作，计划于明年下半年量产。三星决定毫不犹豫地与代工竞争对手合作，实现 NVIDIA 和 Google 等大客户所需的“定制功能”。三星电子可以提供内存、代工和尖端封装，因此可以提供HBM4相关的“综合服务”，但有分析称，三星电子已将与台积电的合作摆上桌面，以争取更多客户。
台积电生态系统和联盟管理负责人 Dan Kochpacharin 9月5 日在台北举办的半导体展览会‘Semicon Taiwan 2024’上表示，“我们正在与三星电子共同开发无缓冲器 HBM”。这是台积电与三星电子首次提及HBM合作。
无缓冲器 HBM 是一种消除“缓冲器”的产品，可防止电气问题并分配电压。三星电子计划从 HBM4 开始应用，计划于 2025 年底量产。其优势在于与现有产品相比，能效提高40%，延迟降低10%。 Kochpacharin Head 表示：“随着内存制造工艺变得更加复杂，与合作伙伴的合作也变得更加重要。”
三星电子之所以与台积电联手，是因为从HBM4开始，工艺难度迅速增加，必须体现各种客户的需求。从HBM4开始，制造工艺与以前有显著不同。这是因为作为 HBM 大脑的逻辑芯片是由代工公司制造的，而不是存储器公司。不经营代工业务的SK海力士正在与台积电共同开发关于HBM4的芯片。
连接不同芯片以使它们作为一个芯片平稳运行的尖端封装方法也发生了变化。此前，图形处理单元（GPU）和HBM是水平放置的，但很可能会采用将HBM放置在GPU之上的“3D方法”。
三星电子的基本战略是提供“交钥匙解决方案”，涵盖 DRAM 生产、代工厂逻辑芯片的大规模生产以及尖端封装。据了解，该公司也在考虑与台积电合作的方式，重点关注希望通过台积电量产逻辑芯片的客户。
三星电子的目标是通过同时推行交钥匙战略并与台积电合作，重新获得 HBM4 市场的领导地位。一位半导体行业官员表示，“如果三星要在 HBM 领域占据领先地位，就需要进行超越新技术开发的非常规尝试。”
