湖南静芯推出针对HDBaseT接口的静电和浪涌防护器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2

1. HDBaseT技术简介

HDBaseT技术，由全球知名的家电巨头如LG、Samsung、Sony（均来自亚洲），携手以色列的半导体技术先锋Valens Semiconductor，共同创立了HDBaseT联盟。该联盟于2009年成功获得了Intel的HDCP（高清内容保护）认证，标志着其技术标准的权威性与安全性。随后，在2010年6月底，HDBaseT 1.0的官方规范正式确立，为行业树立了新的里程碑。

与HDMI和DisplayPort等标准不同，HDBaseT并未引入全新的接口设计，而是巧妙地采用了RJ45接口，这一接口常被称为水晶头或以太网接口，极大地提升了用户的熟悉度与便捷性。同时，HDBaseT采用了普遍易得的网线作为传输介质，进一步降低了部署成本，增强了其普及性。

HDBaseT标准不仅限于视频信号的传输，它还集成了网络连接功能，实现了音视频信号与数据通信的同步传输。该技术还支持以太网供电（PoE），即可以通过网线同时为连接的设备提供电力，极大地简化了布线工作，提升了系统的整体效能与灵活性。

2. HDBaseT版本介绍

表1  HDBaseT版本介绍

3. 湖南静芯HDBaseT产品推荐

静芯推出超小体积、超高峰值电流，低钳位电压的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC，该产品专为HDBaesT接口的TX（发送）和RX（接收）线路设计。SENC26F3V4UC为单路保护器件，具备3.3V低触发电压和7V低钳位电压特性，满足115V低压浪涌（8/20us)的过压保护需求（VRWM=3.3V MAX，VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us)）。以其更小的容值和更高的峰值电流，为高速数据传输提供了高速信号线提供优异的瞬态过压保护效果，确保了信号的完整性和设备的安全性。

图1  基本电性图

4. SENC26F3V4UC参数对比RClamp2504N（包含测试图形）

表2  器件测试参数对比

图2  峰值电流10A 8/20测试曲线

（左边RClamp2504N，右边SENC26F3V4UC）

图3 极限测试 8/20浪涌测试曲线

（左边RClamp2504N，右边SENC26F3V4UC）

SENC26F3V4UC的实测过流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的实测过流能力28A， SENC26F3V4UC的钳位电压14V@46.4A, RCLAMP2504N的钳位电压14.2V@28A，超过10A后的钳位电压，SENC26F3V4UC的钳位电压会明显好于RCLAMP2504N，考虑系统的稳健性是通过测试极端参数条件下的可靠性，在RCLAMP2504N的极限电流28A的条件下，SENC26F3V4UC的钳位电压会低于11V（RCLAMP2504N为14.2V）,对系统的防护效果更好。

在1A附近的钳位电压的实测数据：SENC26F3V4UC的钳位电压6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的钳位电压4.8V@1.44A,两者差别不大（规格书上 SENC26F3V4UC的余量留的比较足，标的典型值7V，最大值10V；RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是这个值已经和实测的典型值接近了。）

SENC26F3V4UC第5号管脚可以接3.3V的VCC（RCLAMP2504N的5号管脚规格书提示不能接VCC，有风险），对3.3V提供比较好的防护，对靠近接口部分的电源提供静电和浪涌防护，实际布线电源走线可以先连接到器件5号脚，再给到应用电路。

5. HDBaseT电路框图

图  典型应用图

防护方案中所使用ESD型号参数描述（详尽参数请与我司代理联系）：