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激光器和先进的光学技术是加工电动汽车、电力电子、智能电网和社会电气化所依赖的新兴材料的关键推动因素。
近日，半导体激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，获 8000 万美元 B 轮融资（折合人民币约5.81亿元）。本轮融资由美国创新技术基金（USIT）牵头，8VC、SAIC跟投。据媒体报道，新一轮融资将使 Halo Industries公司的总市值达到 3 亿美元。
据了解，Halo Industries公司，2014 年，从斯坦福大学实验室分离出来，目前总部位于加利福尼亚州圣克拉拉，致力于开发和销售基于激光的碳化硅 (SiC) 半导体晶圆基板生产工艺。
Halo Industries公司表示，利用该资金的帮助，Halo Industries将扩大其技术的商业化和覆盖范围，并推进其建立碳化硅衬底生产新标准。这笔资金也将用于推动该公司的技术走向更广泛的商业规模。
宽禁带半导体——新型功率器件最佳伴侣
随着日常生活中许多领域向脱碳和电气化发展，半导体材料的开发备受关注。在电气性能更佳的功率器件中，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 、金刚石等新型半导体材料尤其引起了人们的兴趣，这些材料通常被称为宽带隙 (WBG) 半导体。
其中，碳化硅已广泛用于新能源汽车的研发。碳化硅的宽禁带特性使其具有更高的效率、更快的切换速度和更好的散热性能。与基于传统材料的器件相比，碳化硅功率器件可以做到更小、更轻、更坚固。用于功率器件可实现更高的功率输出和系统性能。这些有利的品质使得碳化硅半导体特别适合用于电动汽车 (EV)、太阳能和风能、电网和充电基础设施以及其他电力电子器件。
但因碳化硅SiC 也有缺点。首先，它价格昂贵，因此在加工过程中尽可能多地保留材料非常重要。其次，碳化硅是一种高硬度且具脆性的材料，其硬度仅次于金刚石，要在不损失大量材料的情况下进行切割非常困难。
目前市面上常见的碳化硅切割方式有砂浆线切割和金刚石线锯切割，相比于成本高昂的激光切割，这两种方式对碳化硅晶圆表面损伤较大一些。
因此，光子和基于激光的技术在 SiC 制造链中变得越来越重要。
激光减少“浪费”
基于此，Halo Industries公司称已开发出一种专有的多步骤激光工艺。
该公司表示，与机械和热工艺相比，该工艺可以“显著提高 SiC 的产量”，同时“最大限度地减少浪费和生产成本”。目前，该公司的 SiC 晶圆每锭产量“业界最佳”，其工艺减少了 SiC 晶圆中“影响性能的缺陷数量”和翘曲效应，最大限度地减少了后处理需求，并为晶圆实现了“新的质量标准”。
另外，Halo Industries公司声称，该技术不仅已投入量产，为“越来越多热情的客户”提供服务，同时，该技术也被证明不仅适用于 SiC，还适用于“各种先进材料，如硅、金刚石、蓝宝石、钽酸锂、氮化镓等”。
走向更广泛的商业规模
除了领投方 USIT 之外，8000 万美元的 B 轮融资还包括来自德克萨斯州奥斯汀的风险投资公司8VC以及技术和工程公司SAIC 的参与。据媒体报道，新一轮融资将使 Halo Industries的总市值达到 3 亿美元。这笔资金将用于推动该公司的技术走向更广泛的商业规模。
Halo Industries创始人兼首席执行官Andrei Iancu表示：“随着对具有更高能效的下一代电力电子产品的需求呈爆炸式增长，公司基于激光的制造设备和碳化硅制造对推动清洁技术持续进步作用越发明显。这笔融资将为我们未来的战略合作奠定基础，我们的创新可以重塑市场经济，并实现全新的设备架构和功能。”
USIT 管理合伙人Peter Tague表示：“从可再生能源和电动汽车到电信、电网基础设施和国防客户群，我们看到了Halo Industries促进跨行业创新和多样化应用的未来潜力。”
另值得注意的是，根据其商业模式以及官网等相关资料显示，除第三代半导体碳化硅外，对于下一代最有前景的半导体金刚石晶圆的激光加工技术，Halo Industries公司也在积极布局。
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