• 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

lift off工艺为什么常用蒸发的方式镀膜?

2024/08/13
1577
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

知识星球(星球名:芯片制造与封测技术社区,星球号:63559049)里的学员问:我观察到晶圆厂中lift off工艺,镀膜都是用的电子束蒸发的方式,很少有用磁控溅射的方式,为什么?

电子束蒸发与磁控溅射的台阶覆盖性对比

磁控溅射的台阶覆盖性更好。

电子束蒸发中,蒸发物质从源头直接升华并沿直线路径沉积到晶圆上,它可以避免金属在掩模侧壁的覆盖,只在表面进行沉积。而磁控溅射可能会将光刻胶整个胶面与侧壁都包裹在沉积的材料中。在镀膜结束后,在进行光刻胶剥离时,去胶液无法与光刻胶接触反应,导致光刻胶剥离很困难。而用电子束蒸发镀膜,则没有这个问题。

上图为电子束蒸发的膜层截面图。去胶液可以透过缝隙与光刻胶侧壁反应。

上图为磁控溅射的膜层截面图,去胶液很难突破侧壁膜层,进行反应。

用磁控溅射方法需要增加哪些工序?

需要增加撕胶工序,将胶面上覆盖的膜层撕掉,使光刻胶露出,这样才容易剥离。

欢迎加入我的半导体制造知识星球社区,目前社区有1900人左右。在这里会针对学员问题答疑解惑,上千个半导体行业资料共享,内容比文章丰富很多很多,适合快速提升半导体制造能力,介绍如下:     《欢迎加入作者的芯片知识社区!》

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
0603ESDA2-TR2 1 Eaton Corporation Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 0603, 2 PIN

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.56 查看
47386-4 1 TE Connectivity (47386-4) 22-16 PIDG D.A.H.T ASSY ***PL
$932.32 查看
BSS84PH6433XTMA1 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
$0.46 查看

相关推荐