加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

SK海力士官宣:HBM3E良率已达80%!

05/23 16:30
1702
阅读需 3 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

SK海力士宣布,其第五代高带宽存储器HBM3E的良率已达到80%。这远远超出了业界预期的60~70%。良品率是正常产品减去不良品的比率,“80%的良品率”意味着生产的100个产品中有80个是正常的。

当地时间5月21日,SK海力士负责良率的副总裁权在顺在接受英国《金融时报》采访时表示,“HBM3E芯片良率几乎达到了80%的目标,多亏了这一点,我们减少了50%的量产所需时间。SK海力士正在向HBM市场的“最大采购者”NVIDIA供应HBM3E。最新产品HBM3E进入商业化已经有一段时间了。”

HBM 是下一代存储器系统,其中多个 DRAM 垂直堆叠并通过 TSV(硅电极)连接。随着成为人工智能AI)加速器中必须包含的“必不可少的半导体”,SK海力士HBM与美国三星电子美光的竞争正在加剧。在HBM3产品方面率先取得领先地位的SK海力士率先将HBM3E的良率提高到80%,因此很有可能继续在市场上占据主导地位。

SK海力士披露的收益率远高于行业预期的60~70%。作为商业机密的收益率披露被业界解读为对HBM3E市场领先地位信心的表达。“今年,我们的客户最想要的产品是 8 层堆叠 HBM3E,”权在顺说,“考虑到这一点,我们将精力集中在生产这款产品上。为了占领HBM市场,提高产量非常重要,由于人工智能热潮,HBM市场的需求正在增长。”

内存半导体公司对 HBM 市场领导地位的争夺越来越激烈。三星电子组建了大规模的“HBM工作组”来追赶SK海力士,前一天,半导体公司的负责人被副会长Jeon Young-hyun取代。业界预计三星电子将在HBM3E之后拿出特殊措施抢占市场。

全球第三大内存公司美光也决定增加约7000亿韩元的投资,以赶上SK海力士。据路透社报道,美光首席财务官马修·墨菲(Matthew Murphy)表示,“我们今年已将投资规模从75亿美元提高到80亿美元,以增加HBM的供应。美光今年2月宣布,已开始量产8层叠层HBM3E,并已开始对12层叠层HBM3E进行样品生产。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
CSTCV16M0X51Q-R0 1 Murata Manufacturing Co Ltd Ceramic Resonator, 16MHz Nom, CERAMIC PACKAGE-3
$0.62 查看
CPC2017NTR 1 IXYS Corporation Transistor Output SSR, 2-Channel, 1500V Isolation, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, SOIC-8
$3.87 查看
NC7ST08M5X 1 Fairchild Semiconductor Corporation AND Gate, HST/T Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5, 1.60 MM, MO-178AA, SOT-23, 5 PIN
$0.33 查看

相关推荐

电子产业图谱

芯片说(ICTIME),讲述芯片领域的大事、人物企业、技术和产品。