SK海力士官宣：HBM3E良率已达80%！

SK海力士宣布，其第五代高带宽存储器HBM3E的良率已达到80%。这远远超出了业界预期的60~70%。良品率是正常产品减去不良品的比率，“80%的良品率”意味着生产的100个产品中有80个是正常的。

当地时间5月21日，SK海力士负责良率的副总裁权在顺在接受英国《金融时报》采访时表示，“HBM3E芯片良率几乎达到了80%的目标，多亏了这一点，我们减少了50%的量产所需时间。SK海力士正在向HBM市场的“最大采购者”NVIDIA供应HBM3E。最新产品HBM3E进入商业化已经有一段时间了。”

HBM 是下一代存储器系统，其中多个 DRAM 垂直堆叠并通过 TSV（硅电极）连接。随着成为人工智能（AI）加速器中必须包含的“必不可少的半导体”，SK海力士HBM与美国三星电子和美光的竞争正在加剧。在HBM3产品方面率先取得领先地位的SK海力士率先将HBM3E的良率提高到80%，因此很有可能继续在市场上占据主导地位。

SK海力士披露的收益率远高于行业预期的60~70%。作为商业机密的收益率披露被业界解读为对HBM3E市场领先地位信心的表达。“今年，我们的客户最想要的产品是 8 层堆叠 HBM3E，”权在顺说，“考虑到这一点，我们将精力集中在生产这款产品上。为了占领HBM市场，提高产量非常重要，由于人工智能热潮，HBM市场的需求正在增长。”

内存半导体公司对 HBM 市场领导地位的争夺越来越激烈。三星电子组建了大规模的“HBM工作组”来追赶SK海力士，前一天，半导体公司的负责人被副会长Jeon Young-hyun取代。业界预计三星电子将在HBM3E之后拿出特殊措施抢占市场。

全球第三大内存公司美光也决定增加约7000亿韩元的投资，以赶上SK海力士。据路透社报道，美光首席财务官马修·墨菲（Matthew Murphy）表示，“我们今年已将投资规模从75亿美元提高到80亿美元，以增加HBM的供应。美光今年2月宣布，已开始量产8层叠层HBM3E，并已开始对12层叠层HBM3E进行样品生产。