2852
今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长：
获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约；
获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议；
究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？为什么他们被众多客户选定为8英寸SiC设备的供应商？本文将展开分析。
国际巨头建8英寸SiC项目
优晶设备即将规模交付
自去年以来，中国碳化硅产业各个链条的代表性企业，凭借自身显著提升的技术，开始有意识地“走出去”，加快海外市场开拓的步伐。截至目前，已经有多家国内企业在海外市场打开了新局面，收获了国际客户的订单。
近日，《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》启动了调研工作，在调研苏州优晶半导体科技股份有限公司的过程中，“行家说三代半”了解到，优晶科技也在海外市场收获颇丰。
据优晶科技相关负责人介绍，2023年底，优晶科技获得了一家国际半导体巨头I公司的碳化硅长晶设备订单，即将开始交付。
据行业人士透露，这家海外客户是全球SiC头部厂商，正在建设8英寸全产业链项目，包含SiC衬底生产线、SiC晶圆生产线，长晶设备规划采购量高达1000台。
“行家说三代半”简单测算发现，该公司的8英寸碳化硅衬底产线达产后年产能或将超过150万片。
“在春节前，我们就给该客户发货了第一批碳化硅长晶设备，预计今年3月底开始验收，届时将规模化交付设备。”优晶科技相关负责人透露道。
在正式达成合作前，该公司的CTO等高层就曾多次到优晶科技进行考察，双方就8英寸SiC长晶设备和长晶工艺等事宜进行了深入的交流，最终该公司从7家全球领先的设备供应商中挑选3家企业作为其8英寸SiC设备的供应商，优晶科技是唯一入选的中国企业。
优晶科技表示，“这是我们在海外的首个8英寸碳化硅长晶设备项目，也是我们在8英寸碳化硅市场的里程碑式突破，标志着我们的设备和工艺获得了国际头部企业的认可”
同时，在优晶科技看来，参与该项目的建设对其有着特殊的意义。“8英寸SiC衬底是整个产业链转型的关键性大方向，从2023年至今，我们发现碳化硅产业6英寸与8英寸的切换提前加速，尤其是海外企业的8英寸碳化硅晶圆线对大尺寸衬底的需求大幅提升，优晶科技能够为碳化硅头部企业供应设备，一定程度上代表着我们在8英寸SiC单晶扩径潮流中取得技术先机。”
据“行家说三代半”不完全统计，截止目前，全球明确规划建设的8英寸SiC晶圆线超过了17条，中国（包括香港）有7条，数量上领先全球，但在建设速度方面，美国、欧洲、马来西亚和日本企业则步伐更快。
这次与I公司的合作仅仅是一个缩影，在碳化硅长晶设备领域，优晶科技将在夯实国内市场的同时，持续开拓海外市场。
据优晶科技相关负责人透露，近年来优晶科技已经与众多的海外客户达成了合作或者深入接触，“多家海外客户已经多次来到优晶科技的生产线进行实地考察验证，部分企业已进入商务谈判阶段，接下来，我们将与2家韩国客户签订设备交付订单，我们的设备未来将从国内辐射到其它世界重要经济体。”
优晶独特SiC技术
持续紧握产业扩张机遇
在最近的调研走访中，多家碳化硅企业反映，2024年第一季度是传统淡季，行业也处在调整周期中，因此市场需求较为平淡。然而，也有部分企业取得了较为喜人的成绩。
据优晶科技相关负责人透露，除了海外订单外，今年一季度优晶科技在国内市场也有所斩获，“我们最近顺利签订了多个6-8英寸碳化硅长晶设备新订单，交付规模约为200台左右，计划分3期进行交付。”
此外，优晶科技还与2家光伏领域的上市公司达成战略合作关系，为他们供应碳化硅长晶设备。
“行家说三代半”了解到，其中一家是中国民营500强企业，另外一家是光伏组件top5企业，此次2家光伏企业与优晶科技合作，目标是跨界进入SiC衬底领域。
从优晶科技客户和发展轨迹可以发现，他们之所以能够成为碳化硅长晶设备赛道的“弄潮儿”，得益于优晶科技能够很好地抓住碳化硅产业的几次产能建设机遇，屡获从第二到第四波浪潮客户的大订单。据悉，2021年至2023年他们的订单量连续实现翻番，进一步稳固了在电阻法碳化硅长晶设备市场的主导地位。
优晶科技之所以能够在细分赛道取得如此成绩，得益于其敏锐的市场嗅觉和技术“杀手锏”。
首先，优晶科技自设立以来就专注于晶体生长设备、 提升工艺和技术研发。
2019年，优晶科技发布6英寸电阻法SiC单晶生长设备及工艺，填补了国内电阻法设备的空白，成功解决了SiC客户高良率、大尺寸的需求痛点，截至目前已迭代至第4代机型。2023年他们更是推出了8英寸电阻法SiC单晶生长装备，技术达到国际先进水平，晶体良品率和质量大幅提高，并开始小批量交付。
优晶科技8英寸SiC晶体正面（左）和背面（右）
其次，优晶科技的“杀手锏”则是其“十年磨一剑”的产品——有别于传统的感应式PVT长晶设备和工艺，他们推出了“电阻加热式”的SiC长晶设备和长晶工艺，很好地满足客户对快速量产和大尺寸扩径的核心需求，并且能够让“跨界者”更好更快地掌握SiC单晶生长，因为电阻法设备操作更为简单、自动化程度更高、长晶时间更短、设备性能更稳定，而感应法更适用于“老手”，新进入者很难迅速实现高良率生产。
最近，经过设备和工艺等方面的调整和优化，优晶科技在6-8英寸碳化硅长晶技术方面又取得新的突破：
● 整个晶体生长过程控制在5-7天之内，传统工艺长达7至14天；
● 晶体厚度达25-30mm，晶体利用率高达85%；
● 耗材使用轮次从传统的30轮提升到40轮以上；
随着市场需求的大幅提升，近年来，优晶科技也明显加快了设备产能的建设速度。以8英寸设备为例，优晶科技今年已扩大产能，设备交付周期大幅缩短，合同签署3个月左右就可以完成设备交付，大大加快了客户的量产步伐；
碳化硅半导体是高技术、高难度、高附加值产品，市场对碳化硅衬底和设备的投资仍在继续，尤其是未来8英寸碳化硅的市场前景光明。作为国内SiC电阻法长晶设备领域的先行者和探索者，优晶科技持续开拓进取，不断精进大尺寸碳化硅长晶技术，帮助更多的企业顺利从6英寸向8英寸转型，助推SiC产业实现创新发展。
下载ECAD模型
