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近日存储五大原厂（三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据）纷纷发布了最新一季财报，各大厂商营收亏损幅度均有所收窄，其中内存市场回温明显，部分较早布局DDR5 DRAM、LPDDR5X、HBM3/3E等存储新技术的企业顺利吃到行业红利，实现扭亏为盈，闪存市场则逐渐触底。
从价格行情看，据日本经济新闻近日报道，因中国客户接受存储芯片厂商的涨价要求，2024年1月指标性产品DDR4 8Gb以及4Gb产品批发价扬升。结合行业消息显示，存储芯片三大原厂控制供给，拉抬报价态度坚定。在DRAM部分，侧重HBM和DDR5投资；NAND部分，则是力求不亏损销售。
五大原厂财报出现好的信号
综合来看，消费电子已出现复苏信号，行业新的转机正在孕育生成，AI催生存力新需求，五大原厂加速布局，2024年存储市场有望迎来新的转机。
三星电子：亏损幅度已有所减缓，消费电子已出现复苏信号
三星电子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）财报，该季营收67.78万亿韩元，环比增长0.6%，同比下降3.8%。其中，存储业务营收15.71万亿韩元，环比增长49%，同比增长29%。
2023年三星电子合并营收258.94万亿韩元，同比减少14.32%；营利6.57万亿韩元，同比减少84.85%，为十二年来最低点。资本支出方面，四季度同比减少25.53%降至14.0万亿韩元。三星电子计划到今年上半年为止，将NAND产量削减规模扩大40%-50%。
值得关注的是，从2023年四季度营收利润来看，其亏损幅度已有所减缓，消费电子已出现复苏信号。三星表示，随着PC和移动设备单机存储容量增加，以及IT行业对生成式人工智能的投资不断扩大，服务器需求出现了复苏的迹象，三星电子存储业务整体市场较上一季度出现复苏。
三星预计未来需求将集中在先进节点，存储业务计划将重点放在基于尖端节点竞争力的盈利能力上。今年一季度，三星将继续专注包含HBM3和服务器SSD等高附加值产品在内的销售，推动盈利能力不断改善。
2024年全年，尽管市场仍存在不确定性，但三星认为存储业务将会继续复苏。终端市场由于AI普及，PC和移动设备单机存储容量将增加。AI也将助力服务器增长，随着服务器处理器向新平台过渡，服务器需求也将逐渐复苏。
SK海力士：四季度扭亏为盈，存储新品营收亮眼
SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.3055万亿韩元，营业利润为0.3460万亿韩元，成功实现扭亏为盈。2023全年实现营收32.766万亿韩元，经营亏损7.73万亿韩元，经营利润率-24%。此外，2023年公司资本开支同比减少50%降至9.5万亿韩元，并预计2024年资本开支同比小幅增长。此前SK海力士表示，NAND的减产措施至少持续至2024年6月。
营收主要增长点上，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牵引市场的技术实力积极应对了客户需求，结果公司主力产品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。另外，对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，主要集中于投资和费用的效率化。
顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。而且，公司为了应对持续增长的AI服务器需求和端侧AI的应用普及，将为准备高容量服务器模组MCRDIMM和移动端模组LPCAMM2竭尽全力，由此持续保持技术领先优势。
NAND闪存方面，公司决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。
美光：做好准备紧抓AI机遇，HBM业绩大涨
美光公布了截至2023年11月30日的2024财年第一财季财报，该季美光营收47.3亿美元，同比增长15.6%，环比上升17.86%。第一财季营业亏损9.55亿美元，较去年同期收窄20.9%。
展望未来，美光表示已做好充分准备，抓住人工智能为终端市场带来的巨大机遇，预计第二财季营收为53亿美元，上下浮动2亿美元，相当于指引范围为51亿到55亿美元，同比增长38.2%到49.1%。业务基本面将在2024年得到改善，行业TAM（Total Addressable Market，总潜在市场）预计将在2025年实现突破。
美光预计2024财年资本支出在75亿美元至80亿美元之间，均高于去年资本支出和此前规划，主要是为了支持HBM3E的产量增长。其中，美光认为2024财年WFE（wafer fab equipment，前端晶圆设备）资本开支将同比下降。美光在马来西亚和台湾建设先进组装和测试设施，另外投资计划已获中国批准，正在继续此前宣布的西安封测厂扩建计划。
美光业绩高度受益于本轮AI浪潮，美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露，得益于生成式AI的火爆，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。同时，2024年PC销售量有望成长1~5%，结束连续两年跌势; 智能手机需求也有望出现复苏迹象、2024年将稍微成长（grow modestly）。
铠侠：预计智能手机和PC领域需求将持续复苏
铠侠公布的截至2023年12月31日的2023财年三季度财报显示，铠侠单季度营收2620亿日元（约合17.4亿美元），环比增长20.6%；营业损失650亿日元（约合4.3亿美元），亏损环比改善35.8%；净亏损649亿日元（约合4.3亿美元），环比增长21.1%。
技术方面，铠侠在车用存储市场率先引入UFS4.0嵌入式存储设备，并发布了2TB microSDXC存储卡。
另外，铠侠表示，其与西部数据位于四日市和北上的合资工厂已获批获得日本政府提供高达1500亿日元的补贴。
对于后市展望，由于终端客户库存不断改善以及存储原厂持续控制产能释出，铠侠预计，存储市场的供需情况以及产品售价不断改善。在PC和智能手机需求方面，随着终端客户库存改善、AI嵌入PC和智能手机、单位存储容量增长以及软件更新带来的换机需求，预计智能手机和PC领域需求将持续复苏。服务器和企业级SSD需求方面，已有信号表明客户库存水位正恢复正常化加上企业IT支出复苏，预计2024下半年需求将开始复苏。
西数：持续推进闪存业务改善，重启与铠侠合并谈判
近日，西部数据公布了2024第二财季（截至2023年12月29日）业绩，该季营收30.32亿美元，环比增长10%，同比下降2%；净亏损2.10亿美元，净利润率-6.9%。主要原因是受到闪存和HDD业务结构性调整的影响。值得注意的是，该季西部数据NAND毛利率转正至7.9%。
按业务划分，西部数据云业务营收为10.71亿美元，同比下降13%;客户业务营收为11.22亿美元，同比增长3%;消费者业务营收为8.39亿美元，同比增长6%；按照产品划分，NAND Flash部门的营收由2022年同期的16.6亿美元增加到16.7亿美元，硬盘部门营收13.7亿美元。
西部数据执行长David Goeckeler表示，将以积极管理库存的策略，加上提供范围更广的产品，做好成本调控，注重研发等作为，有信心西部数据的获利能够改善。
此前西部数据表示，将在2024年下半年之前剥离其闪存业务。在与日本Kioxia（铠侠）合并该业务的谈判陷入停滞后，闪存业务一直在努力应对供应过剩的问题。目前，铠侠和西部数据正积极重启合并谈判。据外媒消息，日本产业省周二表示，将向铠侠和西部数据提供2429亿日元（约合16.4亿美元）补贴，帮助它们在三重县和岩手县扩大存储芯片生产。日本工业大臣斋藤健表示，支持日本芯片制造商铠侠与西部数据合并。并预计未来内存市场将大幅增长，包括用于生成式人工智能的内存。
看好AI动能，原厂积极布局HBM
目前，以手机、PC为代表的消费电子市场需求回温还不足以支撑存储巨头业绩快速增长，但大厂不约而同增加2024年的资本支出，主要动因还在于AI带来的市场增量。目前，主流AI训练芯片为了提升带宽更好地发挥算力，都采用了HBM与算力芯片进行合封。AI服务器端成长性明显，从ChatGPT到今年OpenAI最新推出的文生视频模型Sora，以及各厂自建的AI大模型，都需要用到AI 服务器。
据TrendForce集邦咨询表示，2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，Server DRAM单机平均容量预估年增17.3%；Enterprise SSD则预估年增13.2%。
服务器方面，伴随AI服务器需求持续增加，AI高端芯片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及云端服务业者（CSP）自研ASIC陆续推出或开始量产。但由于Training AI Server是目前市场主流，其扩大采用的存储器是以有助于高速运算的DRAM产品为主，故相较于NAND Flash，DRAM的单机平均搭载容量成长幅度更高，Server DRAM预估年增率17.3%，Enterprise SSD则约13.2%。
目前头部三星、SK海力士、美光三大巨头在HBM上的扩产也是史无前例。
三星：2024年HBM产量将比去年提高2.5倍，2025年再提高2倍
三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将达到90%左右。”负责三星美国半导体业务的执行副总裁Han Jin-man则在今年CES 2024上表示，三星今年的HBM芯片产量将比去年提高2.5倍，明年还将继续提高2倍。
三星官方还透露，公司计划在今年第四季度之前，将 HBM 的最高产量提高到每月15万至17万件，以此来争夺2024年的HBM市场。此前三星电子斥资105亿韩元收购了三星显示位于韩国天安市的工厂和设备，以扩大HBM产能，同时还计划投资7000亿至1万亿韩元新建封装线。
SK海力士：3月量产全球首款第五代高带宽存储器HBM3E
2月20日，据韩媒最新消息，SK海力士将于今年3月开始量产全球首款第五代高带宽存储器HBM3E，计划在下个月内向英伟达供应首批产品。
SK海力士则表示，“我们无法确认与客户相关的任何信息。”
SK海力士在财报中表示，计划在2024年增加资本支出，并将生产重心放在HBM等高端存储产品上，HBM的产能对比去年将增加一倍以上，此前海力士曾预计，到2030年其HBM出货量将达到每年1亿颗，并决定在2024年预留约10万亿韩元（约合76亿美元）的设施资本支出——相较2023年6万亿-7万亿韩元的预计设施投资，增幅高达43%-67%。
扩产的重点是新建和扩建工厂，去年6月有韩媒报道称，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂，预计到今年年末，该厂后段工艺设备规模将增加近一倍。
此外，SK海力士还将在美国印第安纳州建造一座最先进的制造工厂，据英国《金融时报》消息，这家韩国芯片制造商将在这家工厂生产HBM堆栈，这些堆栈将用于台积电生产的Nvidia GPU，SK集团董事长表示，该工厂预计耗资220亿美元。
美光：继续赶追，押宝HBM4
美光在全球HBM市场份额占比较低，为了缩小差距，美光对其下一代产品HBM3E下了很大的赌注，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们正处于为Nvidia下一代AI加速器提供HBM3E的验证的最后阶段。”其计划于2024年初开始大批量发货HBM3E内存，同时强调其新产品受到了整个行业的极大兴趣，这暗示NVIDIA可能不是唯一最终使用美光HBM3E的客户。
在这场没有占据先发优势的比拼中，美光似乎押宝在下一代HBM4这一尚未确定的标准上。官方消息显示，美光披露了暂名为HBM next的下一代HBM内存，其预计HBM Next将提供36GB和64GB容量，能提供多种配置。与三星和SK海力士不同，美光并不打算把HBM和逻辑芯片整合到一个芯片中，在下一代HBM发展上，韩系和美系内存厂商泾渭分明，美光可能会告诉AMD、英特尔和英伟达，大家可以通过HBM-GPU这样的组合芯片获得更快的内存访问速度，但是单独依赖某一家的芯片就意味着更大风险。
据TrendForce集邦咨询了解，HBM4预计规划于2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端业者）在未来的产品应用上，规格和效能将更优化。受到规格更往高速发展带动，将首次看到HBM最底层的Logic die（又名Base die）采用12nm制程wafer，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要结合晶圆代工厂与存储器厂的合作。
再者，随着客户对运算效能要求的提升，HBM4在堆栈的层数上，除了现有的12hi (12层)外，也将再往16hi (16层)发展，更高层数也预估带动新堆栈方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi产品将于2026年推出；而16hi产品则预计于2027年问世。
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