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近日，国内3个GaN项目公布新进展，涉及单晶、外延及IDM等。
天睿半导体：新建8英寸GaN/SiC晶圆厂
2月20日，据福州晚报消息，福州市长乐区成功签约落地16个重大项目，其中包括一个8英寸GaN/SiC项目。
据介绍，该项目建设方为天睿半导体，将新建8英寸氮化镓和碳化硅晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。
天睿半导体成立于2023年2月，由福州新投天睿投资有限公司与福州昊盛天睿投资有限公司共同出资成立。
值得一提是的，今年1月，福州市还引入了另外2个GaN项目：
● 福州半导体氮化镓外延片项目：该项目签约落地福州新区，由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片，产值数十亿元，上市市值可达数百亿元。
● 芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目：该项目签约落地福州新区，目前该项目还未披露更多信息，“行家说三代半”将持续跟进该项目进展，敬请关注。
广东光大、北大 出资1.09亿元建GaN项目
2月19日，据北京顺义媒体消息，顺义近日与一家GaN企业达成合作，共同建设第三代半导体项目——北京大学宽禁带半导体研究中心产业化基地项目一期。
据介绍，该项目由北大研究中心联合广东光大集团等出资1.09亿元，租赁第三代半导体基地厂房1500平方米，建设高性能氮化镓芯片及大尺寸外延片研发生产线，目前已投产运营。
该GaN项目的运营主体是北京中博芯半导体科技有限公司，企查查显示，中博芯成立于2020年9月，在北京市和顺义区政府的大力支持下，以及北京大学和广东光大集团的助力下设立，技术团队成员主要来自于北大宽禁带半导体研究中心。
目前，中博芯已经拥有LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线，以及各类半导体分析测试设备，涵盖了从外延生长到芯片制备等产业链上各环节。
齐鲁工业大学德州研究院：4吋GaN单晶厚度达厘米量级
2月11日，据“德州天衢新区”官微消息，齐鲁工业大学德州研究院在氮化镓单晶领域取得了新突破——4吋GaN单晶厚度达厘米量级。
据悉，齐鲁工业大学材料科学与工程学部主任郝霄鹏牵头成立了12名博士组成的半导体材料与器件创新团队。团队首批入驻齐鲁工业大学德州研究院，主攻第三代半导体晶体材料的研究，并成功获得了厚度达到厘米量级的4吋氮化镓体块单晶。
郝霄鹏表示，目前这一厚度达到世界先进水平，下一步在提高晶体质量的同时，还要缩短生长周期、降低生长成本，才能为产业化奠定基础。
“行家说三代半”了解到，郝霄鹏教授课题组7项专利曾在2018年以2000万元的专利许可费成功转让给山东加睿晶欣新材料股份有限公司落地济宁进行转化，加睿晶欣于济宁国家高新技术产业开发区在建一个“年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底”项目，总投资15亿元，于2019年3月开工建设。
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