加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • 01、英飞凌巩固SiC业务
    • 02、英飞凌加码GaN布局
    • 03、小结
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

SiC与GaN双管齐下,英飞凌再牵手2大知名厂商

01/29 12:30
2346
阅读需 7 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

近期频频出手,全球半导体巨头英飞凌持续扩大朋友圈。近日,继SK Siltron CSS、富特科技之后,英飞凌再与安克创新、盛弘电气两大知名厂商达成合作。

通过最新的两项合作,英飞凌同时在碳化硅SiC)和氮化镓GaN)领域迎来了新进展。其中,盛弘电气将与英飞凌围绕SiC功率器件携手合作。

01、英飞凌巩固SiC业务

近日,英飞凌宣布与盛弘电气达成合作,将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC等产品。

目前,英飞凌在SiC领域已有超过30年的产品研发和应用经验,SiC产品性能正在持续优化升级。据悉,英飞凌1200V CoolSiC MOSFET凭借其高功率密度性能,可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下,额外提供约2%的能量,这有利于打造高性能、轻量且紧凑的储能方案。

据称,采用英飞凌上述产品后,盛弘电气储能变流器系统效率可达98% , 比传统的解决方案效率提升了1%,能够更好地满足海内外市场并网和离网运行的储能应用需求。这有助于盛弘电气增强产品竞争力,提高客户信任度。

双方合作诞生的解决方案一旦推广应用,也在一定程度上扩大了英飞凌作为SiC器件供应商的行业影响力。搭载英飞凌SiC MOSFET的盛弘电气储能变流器在储能市场的渗透,也为英飞凌SiC器件更好地切入储能领域打开了一个突破口。

除与盛弘电气合作外,英飞凌近期还与全球SiC全产业链龙头企业Wolfspeed、SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS以及国内车载电源厂商富特科技达成了SiC相关合作,以期进一步巩固SiC器件业务的行业地位。

其中,SK Siltron CSS将向英飞凌提供6英寸SiC晶圆,用于SiC功率器件的生产,SK Siltron CSS后期还将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆过渡;Wolfspeed则与英飞凌宣布扩大并延伸现有的6英寸碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议(原有协议签定于2018年2月),延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。

与这两家厂商合作,有助于英飞凌实现SiC晶圆的长期稳定供应,为稳定SiC器件产能提供材料保障。而富特科技专注于新能源汽车高压核心零部件产品的技术研发及制造,与英飞凌合作,有利于富特科技在车载电源解决方案中引入先进的SiC技术,优化产品性能,提升竞争力,也为英飞凌SiC器件在车载电源产品中拓展应用创造了更多机会。

未来,为满足新能源汽车、光储充、轨道交通、智能电网等领域对SiC功率器件日益增长的市场需求,挑战意法半导体作为全球第一大SiC功率器件供应商的王座,英飞凌有望与SiC全产业链更多玩家合作共赢。

02、英飞凌加码GaN布局

在相继牵手SiC相关厂商的同时,英飞凌业务布局也不断向GaN领域延伸。近日,英飞凌宣布与安克创新(Anker Innovations)在深圳联合成立创新应用中心。该应用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。

据悉,该中心将基于英飞凌新一代混合反激式(HFB)控制器产品系列和用于100 W以上快充充电器的CoolGaN IPS产品系列进行开发,为市场提供更高功率密度与高能效的PD快充解决方案。

此前,安克创新已在2022年推出了采用英飞凌CoolGaN技术的100W 以上快充产品,通过联合成立创新中心,英飞凌和安克创新将进一步深化合作,加速产品研发,从而更好地将英飞凌GaN技术引入快充领域。

自2023年以来,英飞凌在GaN领域明显加快了脚步。2023年5月,作为项目主导方,英飞凌宣布将参与一个由45家合作伙伴共同建设的欧洲联合科研项目ALL2GaN,目的是开发从芯片到模块的集成GaN功率设计,主要面向电信、数据中心服务器等应用。随后在2023年10月,英飞凌以8.3亿美元完成收购GaN Systems。

GaN Systems是全球前五大GaN功率器件厂商之一,收购GaN Systems后,英飞凌在一定程度上改变了GaN功率器件市场竞争格局,引发业界震动。与SiC一样,GaN在新能源汽车、光储充等领域有较大发展空间,在完成大手笔并购后,在GaN领域打下良好基础的英飞凌,未来有望在GaN市场进一步加强攻势。

03、小结

SiC与GaN功率器件市场规模在未来数年都将保持较高增速,据TrendForce集邦咨询《2023全球SiC功率半导体市场分析报告》数据,2022年全球SiC功率器件市场规模约16.1亿美元,至2026年可达到53.3亿美元,CAGR达35%;据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示,全球GaN功率器件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,CAGR高达65%。

为形成规模优势,抢占更多市场份额,强强合作是可行之法,未来,大概率将有更多SiC、GaN头部厂商出现在英飞凌朋友圈。除英飞凌外,其他厂商也可能捆绑形成新阵营,尽管竞争将越发激烈,但能够促进第三代半导体产业蓬勃发展。

集邦化合物半导体Zac

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
MCC132-16IO1 1 IXYS Corporation Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 300000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element,
$75.34 查看
BSS84PH6327XTSA2 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.13 查看
MBR140SFT3G 1 onsemi 1.0 A, 40 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount, SOD-123FL 2 LEAD, 10000-REEL

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.39 查看
英飞凌

英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 更多信息,请访问www.infineon.com

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。 更多信息,请访问www.infineon.com收起

查看更多

相关推荐

电子产业图谱

TrendForce集邦咨询旗下半导体研究中心,聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等化合物半导体。