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“跨越新起点，再踏新征程“！最近，国内SiC衬底厂商世纪金芯正在全面提速，其位于内蒙古包头、总投资35亿的6-8英寸SiC项目已完成备案审批，即将开建，年产能达70万片，详情请往下看。
35亿元、70万片，世纪金芯SiC项目备案完成
2023年12月13日，据内蒙古自治区政府网站公布消息，宇海电子材料科技（内蒙古）有限公司“年产能70万片6-8英寸SiC单晶衬底项目”已经在包头发改委完成备案审批。
企查查显示，宇海电子于2023年11月24日正式成立，是合肥世纪金芯半导体有限公司的全资子公司，注册地址位于包头市青山区装备制造园区管委会209室，注册资本0.5亿元。
官方发布信息显示，该项目总投资35亿元，占地270亩，建设年产70万片6-8英寸SiC单晶衬底项目。该项目总建筑面积约12万平方米，项目包含碳化硅长晶炉、切磨抛加工以及测试等相关设备设施。该项目总建设周期三年，计划建设年限为2024年4月至2027年4月。
世纪金芯表示，该项目作为包头市重点引进项目，将有力促进内蒙古自治区和包头市新旧动能转换及战略新兴产业的能级，也将大力推动包头由世界硅都向世界碳化硅之都的产业转型升级，同时还会带动产业链上下游企业的集聚发展。
深耕SiC领域，世纪金芯已创多项佳绩
据了解，近年来，世纪金芯不断加大碳化硅研发力度与项目布局，逐步巩固研发生产优势。目前，该公司产品已覆盖6英寸、8英寸的SiC衬底片以及其他第三代半导体材料的布局研究。
项目方面，除了包头新增项目外，世纪金芯还在安徽合肥有碳化硅衬底项目布局。2022年9月9日，世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目在合肥正式投产。
● 技术方面，世纪金芯的碳化硅衬底技术水平处于行业领先水平。
其中， 6英寸晶体良率达到92%以上，产品综合良率达到65%左右。而碳化硅衬底片在外延后至下游芯片流片结果统计，碳化硅SBD产品综合良率95%以上，碳化硅MOSFET产品综合良率达到 88%，并已实现批量生产与交付。
与此同时，8英寸单晶研发进展顺利，已步入送样验证阶段，产品各项指标均处于业内领先水平。
SiC订单方面，世纪金芯已获得十几家客户青睐：
2023年12月19日，世纪金芯与湖南S公司已正式签订SiC衬底的战略合作协议。根据协议约定，两家公司将围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，这次签约的SiC衬底的年合作数量不低于5万片，交易金额达到2亿元以上。
此外，合肥世纪金芯的6英寸碳化硅衬底片已与国内几家头部外延及晶圆厂商达成订单合作。另外，世纪金芯还与HT、ZDK某单位等客户均已完成多批次样品验证，另外正在与中国台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX等公司进行产品验证，与日本FG等单位进行8英寸衬底片的产品验证。
厚积薄发、展望未来，世纪金芯仍在路上
目前，世纪金芯已在技术研发、市场开拓取得突破，这是“厚积薄发”的结果，也是新的起点，伴随着新能源汽车、光储充等新兴市场的快速发展，国内外对高性能碳化硅衬底片的需求日益增加，市场潜力巨大，为了满足市场需要，世纪金芯正在加快产能扩充建设，将碳化硅衬底年产能提升到70万片，在实现规模效应的同时，还将积极加快8英寸碳化硅等关键技术的发展步伐，以更性价比的产品携手客户推动碳化硅技术在大规模应用。
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