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纳芯微宣布推出基于隧道磁阻 (TMR) 的超低功耗磁开关/锁存器NSM105x系列，为数字位置检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于工业与消费领域的位置检测。
纳芯微全新TMR开关/锁存器芯片NSM105x系列
NSM105x产品系列包含了3个产品型号，即NSM1051(单极开关)、NSM1052（全极开关）、NSM1053（锁存器）。通过为用户提供不同的可选开关点、工作磁极、输出相位、采样频率、输出接口、封装形式等关键特性，NSM105x系列可以全面覆盖各个应用场景下的不同系统需求。NSM105x系列采用了TO92S与SOT23-3两种行业通用封装，兼容市面主流竞品，支持穿孔焊接以及PCB表贴，可实现在结构设计保持不变的前提下进行芯片直接替换。
关键特性
- 工作电压范围:1.8~5.5V
- 灵敏度高，Bop/Brp多档可选
- 可选采样频率: 5kHz、2.5kHz、1.25kHz、156Hz
- 极低功耗: 全时供电版供电电流低至1.5μA，分时供电版供电电流低至200nA
- 磁场检测方向: 与芯片封装表面平行
- 可选磁场极性: 工作在南极磁场或者北极磁场
- 输出电平选项: 高或低
- 可选输出接口: 推挽或集电极开路
- 工作环境温度: -40℃~125℃
应用场景
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