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宏光半导体有限公司（「宏光半导体」，连同其附属公司统称「集团」；股份代号：6908.HK）今天宣布委任徐志宏博士（「徐博士」）为副主席兼执行董事；曹雨博士（「曹博士」）为行政总裁兼执行董事；及陈振博士（「陈博士」）为执行董事，自2023年2月6日起生效。是次任命预计将进一步加强集团第三代半导体业务。
徐博士曾出任招商永隆银行有限公司董事总经理及中国工商银行金融市场部总经理，具备丰富企业财务策划经验。他曾获得国务院特殊津贴专家之荣誉，并曾出任中国人民银行金融产品委员会委员及中国城市金融学会理事。徐博士亦曾于中潜股份有限公司（股份代号﹕300526.SZ）及大唐西市丝路投资控股有限公司（股份代号：0620.HK ）担任高级管理层之职位。
曹博士于2021年加入宏光半导体，为集团之间接附属公司徐州金沙江半导体有限公司（「徐州金沙江」）以及间接全资附属公司FastPower Inc. （「FastPower」） 之工程副总裁。曹博士为化合物半导体业务的核心专家，在GaN、InN、AlN、GaAs、InP以及相关的三元和四元合金基电子以及光电器件的外延生长、表征、器件设计及加工领域拥有逾20年半导体研究、开发及生产方面的成熟经验，亦曾撰写或合着4本书籍或书籍章节，申请12项专利，以及撰写170多篇期刊及会议论文。他作为电气和电子工程师协会（「IEEE」）的高级会员，其亦曾担任IEEE EDS 化合物半导体器件与电路委员会（由2019年至今）及IEEE高级会员申请评审小组（由2021年至今）的委员会成员、电化学学会（ECS）普通会员，以及电子和光子学部（EPD）执行委员会成员（由2021年至今）。曹博士为器件研究会议（2016-2018年）、 国际氮化物半导体论坛（2018年）、莱斯特—伊士曼会议（2018年、2020年、2021年）、IEEE电子器件技术与制造（2021年、2022年）、电化学学会（ECS）会议（2019-2021年）的技术委员会成员及会议主席，并曾于2016年获得IEEE George E. Smith Award奖，同时身为 15份著名研究期刊的特邀审稿人。
陈博士于2021年加入集团，为GaN半导体业务的核心专家，并担任徐州金沙江的总经理。陈博士亦为FastPower的董事， 在GaN基光电工程设备领域拥有超过20年的研发、生产及管理经验。他掌握GaN电子器件及全波段固态发光器件的核心技术及8英吋硅基GaN外延生长的专有技术。陈博士曾担任新加坡—麻省理工学院联盟的研究员、南卡罗来纳大学的博士后研究员及加州大学圣巴巴拉分校的副项目科学家，他于其中亦曾与诺贝尔奖得奖者中村修二教授及美国工程院院士Umesh Mishra教授一同工作，工作内容有关加州大学开发的GaN高电子迁移率晶体管的性能，并研究GaN 基紫外线至可见光LED的设计、生长及表征以及在高功率、高频率电子方面的应用。陈博士亦曾于南昌晶能光电有限公司担任核心管理及技术职务，并于其中参与硅衬底GaN的生产，该公司因此在2015年获得中国国家科技创新奖一等奖。
陈博士曾于美国一家知名半导体公司担任副总裁，于其中从事GaN基外置器件的研发及生产。他亦曾撰写或合着3篇书籍章节、50多篇同行评议学术论文及20篇会议论文集。陈博士曾申请国内外专利逾30项，并获授逾10项专利。他亦为IEEE光子学会的高级会员，并为IEEE电子器件协会的高级会员。陈博士目前的研究领域包括III—氮化物电子器件及波长从红色到深紫外的光学器件。
根据集团与徐博士、曹博士及陈博士所订立之服务协议，徐博士、曹博士及陈博士均已获委任为执行董事，初步任期自2023年2月6日起为期三年，可于当时任期届满后翌日自动重续（每次续期一年），惟须根据集团之组织章程细则及上市规则于股东周年大会上轮值退任及膺选连任。
宏光半导体管理层欢迎徐博士、曹博士及陈博士加入董事会。凭借三位领军人物的丰富经验及专业知识，集团相信此举将促进其第三代半导体GaN业务，并加快实现集团成为全产业链半导体整合设备生产模式（「IDM」）企业之目标，进一步引领集团迈向成功之路。同时，于中共中央政治局组织召开的第二次集体学习会议上，习近平主席强调必须加快科技自立自强步伐，解决外国「卡脖子」的问题。为响应国家政策，香港政府颁布的香港创新科技发展蓝图中明确指出，政府将加强支持新能源汽车及半导体芯片等先进制造产业。因此，管理层相信，在国家及地方政府的支持下，将会有日益增加的良机涌现。继行业专家加入集团后，集团预计将迎来新的高速发展阶段。集团将继续致力拓展业务，秉持着实现长期可持续性增长的终极目标，务求为股东带来最佳回报。
