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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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    又一条10nm产线！年底建成！
    三星电子正在开发的1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）正在成为半导体行业的最大话题。1c DRAM是三星电子、SK海力士等预计明年开始量产的下一代存储器。三星电子计划在今年年底前建成第一条 1c DRAM 量产线。
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  • MRAM，新兴的黑马
    MRAM，新兴的黑马
    1956 年，IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。
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    10/15 11:15
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  • 中韩存储芯片差距缩至三代！
    中韩存储芯片差距缩至三代！
    根据三星电子10月8日在临时业绩公告中发布了单独的说明材料，并表示“业绩受到中国存储器公司传统产品供应增加的影响”。这是第一次专门提及中国存储器企业的进展。这意味着中国的增长非同寻常。事实上，以CX存储为代表的中国内存企业正在积极投资、招募人才，以实现击败三星电子成为全球第一内存公司的目标。业内人士分析，不仅是产能，技术也在快速进步。
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    10/15 09:00
    dram 三星电子
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    研华新一代SQ Manager2.0软件 更高效更安全
    研华科技近期推出全新 SQ Manager 2.0 软件。该软件集成了系统监控和安全功能，可通过用户友好的界面轻松控制和管理计算机中的SSD存储设备和内存模块。 使用SQ Manager 2.0增强数据安全性 SQ Manager 2.0 功能强大，可增强数据安全性并时时监测SQFlash SSD硬盘的性能。借助写保护和加密擦除功能，用户可以保护数据免遭未经授权的更改或恢复尝试。写入保护功能可确保
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    10/08 08:05
    dram 研华科技
  • HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产
    三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。
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    10/08 10:05
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  • HBM3e 12hi面临良率和验证挑战，2025年HBM是否过剩仍待观察
    HBM3e 12hi面临良率和验证挑战，2025年HBM是否过剩仍待观察
    近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。 根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HB
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    我一直说要做一个全球主要存储器供应商的财务数据分析。上周一发布了海力士的分析（链接见下面）以后，就一直忙着整理三星的数据，这两天总算是有了一些进展，和大家分享一下：SK Hynix财务数据深度分析：我给他盈亏点划了一条红线 ...
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    09/20 11:20
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  • 飙涨！长鑫存储将赶超美光！
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    长鑫存储科技（CXMT）的DRAM产能（CAPA）四年内增长了近五倍，位居全球第四。有观察认为，三星电子、SK海力士、美光等占据全球DRAM市场90%以上份额的“三巨头”体系中长期可能出现变化。
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    09/16 10:25
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  • 聊聊DRAM的原理、结构、工艺挑战、未来发展
    聊聊DRAM的原理、结构、工艺挑战、未来发展
    DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一种存储数据的半导体器件，广泛应用于计算机和其他电子设备中。
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    08/30 16:40
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  • 2024年上半年存储器现货市场调整，预计下半年价格将面临压力
    2024年上半年存储器现货市场调整，预计下半年价格将面临压力
    存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。
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    08/29 17:27
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  • 狂飙！三星下半年利润将超1600亿！
    狂飙！三星下半年利润将超1600亿！
    随着高带宽内存（HBM）价格飙升而不断上涨的DRAM价格预计涨幅将超过预期。由于预计涨价幅度将从20%提高到30%，因此领先领域的三星电子和SK海力士的业绩提升值得期待。
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    08/26 10:30
    dram HBM
  • 2024年第二季DRAM产业营收季增24.8%，预期第三季合约价将上调
    2024年第二季DRAM产业营收季增24.8%，预期第三季合约价将上调
    受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。 观察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大
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    08/15 13:38
    dram HBM
  • 清华团队发布3D DRAM存算一体架构！
    清华团队发布3D DRAM存算一体架构！
    近日，清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会(ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的三维DRAM存算一体架构，可大幅突破存储墙瓶颈，并基于三维集成架构特点，实现相似性感知计算，进一步提高AI大模型的计算效率。
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    08/12 16:39
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  • 三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品，助力端侧AI应用
    8月6日，三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
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    08/06 08:40
    dram AI应用
  • DigiKey 宣布与Kingston Technology 建立全球合作伙伴关系
    DigiKey 宣布与Kingston Technology 建立全球合作伙伴关系
    全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商 DigiKey 今天宣布与 Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。 DigiKey 与 Kingston Technology 合作，提供其内存产品和存储解决方案 作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston 面向各种规模的工业和嵌入式 OEM 客户，提供包括 eMMC、e
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    07/24 10:52
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  • 900亿美元！DRAM大爆发！2024年营收飙升75%
    900亿美元！DRAM大爆发！2024年营收飙升75%
    根据TrendForce集邦咨询最新发布的存储器产业分析报告，全球DRAM（动态随机存取存储器）市场正迎来一波增长浪潮。报告指出，由于位元需求的快速增长、供需结构的改善以及高带宽内存（HBM）等高附加价值产品的崛起，预计2024年DRAM产业的营收将增长75%。这一趋势在2025年将继续，预计年增幅为51%，营收将创下历史新高。
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    07/24 10:20
    dram HBM

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