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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • NAND Flash厂商2025年重启减产策略,以缓解供需失衡和稳定价格
    NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布减产,Kioxia/ SanDisk(铠侠/闪迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也启动相关计划,可能长期内加快供应商整合步伐。 TrendForce集邦咨询表示,NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方
  • 存储市场迎三大挑战!
    刚刚过去的2024年,存储市场上演了一出“冰与火之歌”:终端市场消费电子复苏迟缓,AI应用则继续强势突围。存储产品因而开启两极化发展:消费类存储需求平淡,高性能、企业级存储产品市场反响热闹。
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  • SK海力士大扩产,HBM DRAM月产能将飙至17万张
    SK海力士今年将以12英寸晶圆为基础,将高带宽内存(HBM)的DRAM产能扩大至每月17万张。此举被解读为应对除最大客户英伟达之外的领先人工智能(AI)芯片公司需求激增的举措。
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  • 存储大厂预警NAND增长不及预期,高端DRAM等被押注
    近日,存储大厂美光、三星纷纷披露最新市况。美光方面披露将投资21.7亿美元扩大其DRAM内存生产,近期其也公布了2025财年第一季度(2024年9月至2024年11月)的业绩报告,该季营收较为亮眼,但美光对于下一季度的预测,体现了其对存储市场的隐忧,美光表示NAND闪存市场正遭遇前所未有的挑战;另外三星电子方面也将调整DRAM未来研发策略。
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  • 明年存储,令人忧心
    存储价格,时涨时落。在2024年下半年,存储行业再度步入下行周期,其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至2025年,存储价格究竟会走向何方?是延续下行趋势,还是触底反弹?
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  • 研报 | 买方采购策略调整,1Q25 DRAM合约价走跌
    根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第一季进入淡季循环,DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩,加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑,已提前备货,进而造成DRAM均价下跌。其中,
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  • 买方采购策略调整,1Q25 DRAM合约价走跌
    2025年第一季进入淡季循环,DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩,加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑,已提前备货,进而造成DRAM均价下跌。其中,一般型DRAM(Conventional DRAM)的跌幅预估将扩大至8%至13%,若计入HBM产品,价格预计下跌0%至5%。 PC DRAM价格估跌幅为8-13%,Server DRAM则跌5-10% TrendForce
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  • 存储大厂获数百亿补贴扩产尖端DRAM,最新市况如何?
    近日美光表示获得美国61.65亿美元(约为人民币450亿元)的直接资金资助,计划用于加强尖端DRAM供应能力。两个月时间里,美国芯片法案补贴计划已公布9家。另外近日存储市场动态频频,三星、Marvell、铠侠等相继披露了最新进展。
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  • Samsung、Hynix、Micron存储器御三家财务数据统计及2025年预测
    之前,我已经做了全球存储器市场的统计和预测了。后来和行业人士核对了一下我的预测结论,大方向上彼此还是基本一致的:明年无论DRAM还是NAND的价格都会出现下跌,但出货量的上涨会有一些对冲作用;明年HBM的市场大约会占DRAM市场的10%左右,对整体市场规模会有一些支撑
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  • 1500亿晶圆大厂开始订购设备
    三星电子开始投资可大规模生产的“1c” DRAM。据了解,近期已向相关合作伙伴订购了生产设备,安装工作将于明年2月左右开始。由于1c DRAM是决定三星电子下一代HBM4竞争力的关键要素,因此看来正在为及时量产该产品做好准备。
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  • 存储厂商没有笑出双十一
    国内市场DRAM现货价格在整个11月份持续走低,尤其是DDR4受到的冲击尤为严重。相比之下,NAND闪存价格显示出稳定迹象。业内估计,双十一期间 DRAM 模组整体销量与 2023 年同期相比下降约 20%。单位销量下降 16%,平均售价下降约 9%。在产品价格贡献方面,2024年双十一期间,SSD的销售表现已超越DRAM模组。今年双十一,长江存储旗下的致态品牌表现亮眼,在京东实现了SSD品类交易总额(GMV)和销量的双料第一,超过了三星。
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  • 全球存储器市场统计及预测(更新版)
    过去,我一直是直接把Dram Exchange公布的季度市场数据拿过来参考使用的。不过最近我扒了三星、海力士、美光的财报以后,发现这几家财报上公布的数据和DramExchange的数据有些许差异,而且这些差异也并不仅仅是汇率换算的问题导致的所以,这次我把两个来源的数据加以整合后进行了一些调整。
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  • 全球半导体存储器市场统计分析及预测(2024-Q3)
    今天讲讲半导体存储器器件(DRAM、NAND)的市场数据。过去,我一直是直接把DramExchange公布的季度市场数据拿过来参考使用的。不过最近我扒了三星、海力士、美光的财报以后,发现这几家财报上公布的数据和DramExchange的数据有些许差异,而且这些差异也并不仅仅是汇率换算的问题导致的
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    2024/12/03
    全球半导体存储器市场统计分析及预测(2024-Q3)
  • 华邦电子携手生态合作伙伴,共塑存储产业新未来
    在数字化浪潮的推动下,全球电子产业正经历着前所未有的变革。随着人工智能(AI)、物联网(IoT)和边缘计算技术的快速发展,对于存储解决方案的需求也在不断增长和演变,同时也对存储器件提出了更高要求:更大的存储容量和带宽、更低的功耗、更高的安全性等。 在此背景下,华邦电子作为全球领先的存储解决方案供应商,凭借其在存储领域的深厚积累和技术创新,正与业界巨头紧密合作,共同探索新的市场机遇,推动产业的创新与
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    2024/12/03
    华邦电子携手生态合作伙伴,共塑存储产业新未来
  • HBM在风口,也在浪尖
    据悉,美国商务部BIS将于本周四(11月28日)“感恩节假期前”公布限制中国科技发展的新出口管制措施,预计将有约200家中国芯片公司纳入贸易限制名单,无法获取美国公司的产品。截至发文,未有出口管制措施发布。紧接着,另一套限制高带宽存储(HBM)出口到中国的规定,也预计在12月间对外公布。该规定是更广泛限制中国人工智能(AI)产业发展的一环。
    HBM在风口,也在浪尖
  • 研报 | 服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
    根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季DRAM(内存)产业营收为260.2亿美元,季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响,尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降,但供应数据中心的DDR5及HBM(高带宽内存)需求上升。
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  • 服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
    2024年第三季DRAM(内存)产业营收为260.2亿美元,季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响,尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降,但供应数据中心的DDR5及HBM(高带宽内存)需求上升。平均销售单价部分,三大原厂延续前一季的上涨趋势,加上HBM持续挤压整体DRAM产能,合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。 展望2024年第四季,Trend
    服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
  • 研报 | 需求展望疲弱、库存和供给上升,预计2025年DRAM价格将下跌
    第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期,根据TrendForce集邦咨询最新调查,制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱,目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确,加上部分买卖方库存水位偏高,价格不排除于今年第四季底开始下跌。
    研报 | 需求展望疲弱、库存和供给上升,预计2025年DRAM价格将下跌
  • 需求展望疲弱、库存和供给上升,预计2025年DRAM价格将下跌
    第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期,根据TrendForce集邦咨询最新调查,制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱,目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确,加上部分买卖方库存水位偏高,价格不排除于今年第四季底开始下跌。 TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,先前受三大供应商积极建置HBM产能,加上预计新厂到2026年才会
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    2024/11/18
  • 研报 | 在2025年DRAM位元产出增长下,供应商需谨慎规划产能以保持盈利
    DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升,价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划,预估2025年整体DRAM产业位元产出将年增25%,成长幅度较2024年大。
    研报 | 在2025年DRAM位元产出增长下,供应商需谨慎规划产能以保持盈利

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