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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • 三大原厂加速扩产,存储市场踏入“黄金时代”
    这两年,全球半导体存储行业已彻底告别库存调整,我们看到的不再是熟悉的周期性循环,而是一场由人工智能重塑底层逻辑的“超级周期”(Supercycle)。与以往由消费电子(PC、手机)周期性换机驱动的复苏不同,本轮增长呈现出明显的刚性与结构性特征。
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  • 陕西DRAM龙头,启动IPO!
    西安紫光国芯半导体股份有限公司宣布启动北交所IPO进程,计划于2024年实现年出货数百万颗车规产品,并取得显著业绩增长。公司研发投入占营收比重高,拥有超600名员工,其中研发工程师占比80%以上,掌握多项芯片技术和产品。
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    01/07 13:38
  • 原厂故意减产?存储价格为什么持续上涨?
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    01/07 11:09
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  • 原厂产能倾向Server应用,2026年第一季度各类存储器产品价格全面持续上涨
    2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用,以满足AI Server需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和Server强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33-38%。 第一季PC DRAM尽管面临整机出货下修,以及可能的降规
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