Nexperia宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场,包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信,尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来,Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-
这些器件采用8518和8536外壳尺寸,TCR低至± 10 ppm/°C,电阻低至15 mW,额定功率达50 W 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一系列通过AEC-Q200认证的全新Power Metal Strip®分流电阻器---WSBE,这些器件的TCR低至± 10 ppm/°C,在同类产品中保持较低水平。 Vis