X-FAB_X-FAB资讯 - 与非网

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上，现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择，强化了X-FAB广泛的产品组合。 2×2光电二极管排列布局示例图此次推出的四款新产品中，两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe，

与非网编辑

562

10/11 09:00

光电二极管 X-FAB

X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中

与非网编辑

1440

05/21 15:24

CMOS MOS

X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）功能。 BSI工艺截面示意图通过BSI工艺，成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被

与非网编辑

2270

04/09 14:13

图像传感器 CMOS传感器

X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。

与非网编辑

2296

2023/11/17

X-FAB spad

X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层，让客户能够在其器件设计中直接集成无源元件（电感器、电容器和电阻器），从而显著节省空间及成本。借助公司在铜金属化技术领域的丰富经验，相关生产制造将在X-FAB位于法国科尔贝—埃索讷（Corbeil-Essonnes）的工厂进行。

与非网编辑

2832

2023/09/14

电路板无源器件

X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Si

与非网编辑

1986

2023/06/15

X-FAB 氮化硅

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。

与非网编辑

1923

2023/06/02

X-FAB

X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。