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X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在其现有为光学传感器而特别优化的180nm CMOS半导体工艺平台——XS018上,现推出四款新型高性能光电二极管。丰富了光电传感器的产品选择,强化了X-FAB广泛的产品组合。 2×2光电二极管排列布局示例图 此次推出的四款新产品中,两款为响应增强型光电二极管doafe和dobfpe,
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X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,更新其XP018高压CMOS半导体制造平台,增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA,提高运行稳健性。与上一代平台相比,此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%,为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中
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X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求,X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018(180纳米)上开放了背照(BSI)功能。 BSI工艺截面示意图 通过BSI工艺,成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被
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X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。
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2023/11/17
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X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力
XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器件设计中直接集成无源元件(电感器、电容器和电阻器),从而显著节省空间及成本。借助公司在铜金属化技术领域的丰富经验,相关生产制造将在X-FAB位于法国科尔贝—埃索讷(Corbeil-Essonnes)的工厂进行。
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2023/09/14
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